個別半導体他2020年代

2020年代

2020年1/2型SXGA　InGaAs-Si積層　可視－短波長赤外光イメージセンサー商品化（ソニー）

ソニーは2020年5月に、裏面照射型InGaAsフォトダイオードアレイ（1280x1024画素、５㎛ピッチ）チップを、CMOS読み出し回路を形成したSiチップに載せ、チップ間の電極をそれぞれの積層面に形成したCu端子で直接接続する、可視-近波長赤外光（波長0.4-1.7㎛）の撮像が可能な小型(1/2型)イメージセンサーを商品化した。

2021年10W級高出力青色半導体レーザーダイオード開発（日亜化学）

日亜化学は、1エミッタストライプ当たりの光出力として世界最高値である、11.2Wの青色光（波長:455nm）を発光する高出力GaN系青色半導体レーザーダイオードを開発した。

2022年共鳴トンネルダイオード（RTD）を用いたテラヘルツ発振デバイス開発（キヤノン）

キヤノンは、double-resonant-tunneling-diode patch-antennaを、6×6（36）個モノリシック集積し、全アンテナを同期動作させて、周波数450GHzで発振出力が約12mWのテラヘルツ波発振デバイスを開発した。

2022年車載LiDAR向け SPAD直接ToF方式距離センサーを商品化（ソニー）

ソニーは、車載LiDAR向けSPAD直接ToF（Direct Time of Flight）方式距離センサーを商品化した。裏面照射型SPAD（Single Photon Avalanche Diode）画素チップと、信号処理回路などを搭載したロジックチップを、Cu-Cu（カッパーカッパー）接続で積層し、光の入射面にマイクロレンズと凹凸を設けて入射光吸収率を高め、波長905nmの光に対して24%の高い光子検出効率（Photon Detective Efficiency: PDE）を実現した。200mの遠距離から近距離までを、15cm間隔で高精度かつ高速に測距できる。

2023年データセンター向け広動作温度範囲100Gbps変調器集積レーザ（EML）開発（三菱電機）

三菱電機は、チップ温度5～85℃の広い温度範囲で、100Gbps駆動が可能な、電界吸収型変調器集積レーザ（EML）を開発した。4波長多重で、温度調節用TEC不要の、データセンター向け400Gbps光トランシーバを実現できる。