CCD撮像素子は画素感度を維持しながら、画素サイズを20年間で1/100に縮小した。オンチップカラーフィルタ、オンチップマイクロレンズ、タングステン遮光などの技術が開発 され、HDTVカムコーダに対応できる撮像素子が開発された。現在(2010年)では1200万画素CCD撮像素子が開発されている。
1993年12月 日亜化学・中村の発明したツーフローMOCVD技術によるGaN およびInGaN単結晶薄膜、ならびに熱アニール法によるp型GaN結晶で作成したダブルヘテロ構造LEDで発光効率2.7%（従来比100倍）の高輝度青色LEDの開発に成功、日亜化学は世界で初めて1cd以上の光度を有する波長450nmの青色LEDを製品化した。
GaAs基板にエピ成長可能なAlGaInP系材料による赤外レーザーの室温連続発振に。1985年にNEC、ソニー、東芝が成功、650nm帯レーザーの幕開けとなった。 松下のHDSA構造レーザーなど各社で、実用化に向けてのレーザー開発が進み、1996年商用開始の家庭用DVDの光源にもちいられた。
デンソーはブロードストライプ（発光幅360μm）構造AlGaAs/GaAs高出力半導体レーザーを開発、これを使用したレーザーレーダーを、1997年発売の乗用車のACC （Adaptive Cruse Control:車間距離制御）システムに搭載した。
富士電機の藤平らは、ドリフト層に低濃度ｎ層の代わりに、ｎ型層とp型層を交互に並べるスーパージャンクション（SJ）構造を採用する縦型MOSFET を考案した。 ｎ層の濃度を上げても高耐圧が得られるので、オン抵抗をさげることが出来、高耐圧(電源用)パワーMOSFETの主要な構造になった。
パイオニアは世界に先駆けて、有機ELドットマトリックスディスプレイを表示部に採用した、車載用FM文字多重レシーバー「GD-F1」を発売した。ディスプレイは、緑単色で、256×64画素、表示エリアは94.7ｍｍ×21.1ｍｍ、画素サイズ0.32ｍｍ×0.29ｍｍのパッシブマトリックス構造である。輝度100cd/㎡、素子寿命10,000時間以上を実現している。
