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装置材料

1950年代

1947年に発明されたトランジスタは1950年代に工業化された。工業化に到るトランジスタ製造技術の発展には様々な装置、材料の科学・技術の新結合があり、 半導体デバイスメーカーと装置・材料企業や研究機関との多様な協働によって成立した。これらの新結合による製造技術展開は、1958,9年の集積回路(IC)技術の発明の契機となった。

1950年代前半ゲルマニウム(Ge)単結晶

最初の点接触型トランジスタはチョクラルスキー法によるゲルマニウム単結晶が使用された。

1950年代後半シリコン単結晶

1950年代最初のSiトランジスタ形成に使われたシリコン単結晶形成には塩素還元法による金属シリコンが用いられた。1950年代末には、更なるシリコンの高純度化の要請によって、 水素還元法による金属シリコンが使われるようになった。

1950年代後半気相拡散源と拡散炉

プレーナープロセスに発展させるn型、p型拡散層形成に気相拡散法が採用され、POCｌ３やBH3のガスが使われるようになった。シリコン熱酸化法はこの気相拡散法の開発過程で誕生した。

1950年代前半真空蒸着装置

初期のトランジスタ形成に真空蒸着法が不可欠であった。さらに真空蒸着法によるアルミニウム配線膜の形成は、1959年のプレーナー型集積回路技術成立のコア技術のひとつとなった。

1950年代後半超純水

高純度化が要請される半導体製造において、イオン交換法による超純水が使われるようになった。

1950年代後半ネガ型フォトレジスト

半導体への最初のリソグラフィ技術にはネガ型レジスト（KPR）が使われた。

1959年ステップ・アンド・リピートカメラ

プレーナープロセス型の集積回路技術の発明では、フォトリソグラフィによるパターン形成にステップ・アンド・リピートカメラが使用された。1960年代に登場するフォトリピーターや1970年代後半に登場する縮小投影露光装置(ステッパー)の原型となった。