米国のトランジスタ発明から日本での量産確立の時代戦後民需復興の追い風に乗った民生機器の躍進とそれを支えたトランジスタ
1947年12月、AT&Tベル研究所(BTL; Bell Telephone Laboratories)において点接触型トランジスタが発明され、1948年1月には接合型トランジスタが発明された。1951年からBTLはトランジスタの特許と技術を世界に公開し、半導体産業が急速に発展拡大した。日本企業各社もトランジスタ事業に参入し、1960年には世界一のトランジスタ生産国となった。
ソニーは米国Western Electric社より特許取得、折からのラジオブーム（真空管）の中、1955年8月にはこれを使って日本初のトランジスタラジオを発売した。他の日本メーカも競って参入、 海外ではトランジスタラジオなら日本というイメージが世界で定着した。
マウンテンビューにWilliam ShockleyによりShockley半導体研究所が設立され、その後、幾多の半導体、半導体関連企業が同地に誕生、ショックレー研究所の跡地には「シリコンバレー生誕の地」の記念碑が建てられている。
Jack Kilby(TＩ)はゲルマの固体回路（Solid State Circuit）でMonolithic IC特許取得
トランジスタラジオが急成長する中、日本メーカは独自のプロセスと装置で量産化、1959年には生産数8600万個と米国を抜いて世界一の生産国となった。
1956年以降の数年、米国は軍需、宇宙開発、コンピュータ用として熱、周波数特性に優れたシリコントランジスタの開発を推進した。
