電気通信研究所の岩瀬 新午、浅川 俊史は、日本で初めて点接触トランジスタの増幅動作に成功し、11月に物理学会年会で発表。
1954年1月神戸工業より合金接合型のゲルマニウムトランジスタが発売され、同年7月にはソニーから成長接合型ゲルマニウムトランジスタが発売された。 その他の日本各社も1950年代後半からゲルマニウムトランジスタの量産を開始し、50年代末には日本の生産量は世界トップとなった。
ソニーの江崎玲於奈は半導体pn接合ダイオードで、量子論上予測されていた電子のトンネル現象を発見、1973年ノーベル物理学賞を受賞した。 このダイオードは電流-電圧特性に負性抵抗を持ち、超高周波増幅や超高速論理回路素子として活用された。
Fairchild のJ.A. Hoerniは、不純物選択拡散に用いたシリコン酸化膜を除去しないで、接合の保護膜、配線の絶縁膜に使用する、ダイオード、トランジスタの製作方法を発明し、プレーナ・プロセスと名づけた。その後の集積回路発展の基礎になる重要な発明である。
