個別半導体他2010年代

2010年代

2012年積層型CMOSイメージセンサー開発（ソニー）

CMOSイメージセンサーは、携帯電話の普及により市場規模が急速に拡大した。新機能追加や高速化・低消費電力化を実現するため、画素とロジック回路を別々の基板で作製し、基板同士を上下に積層した3次元積層型のCMOSイメージセンサーを開発した。

2013年 100Gb/sデジタルコヒーレント通信用フルバンド波長可変レーザー開発　(住友電工)

住友電工が2013年に100Gb/sデジタルコヒーレント通信用光源として製品化したフルバンド波長可変レーザーは、独自のCSG-DR（Chirped-Sampled-Grating Distributed Reflector）構造と集積ヒーターによる局所的な熱制御で、光ファイバー出力+16 dBm以上の高出力特性と200kHz以下の狭線幅特性を両立した。スペクトル利用効率向上による今後の光ネットワークの更なる大容量化に向けて、重要なマイルストーンとなった。

2014年 3.3kV/1.5kA SiC-MOSFETの開発（三菱電機）

三菱電機は2013年に3.3kV SiC-MOSFETを開発し発表した。2014年に3.3kV SiC-MOSFETとSiC-SBDを搭載した3.3kV/1.5kAフルSiCパワーモジュールを開発し、世界で初めて鉄道車両用インバーターに搭載して製品化を実現した。

2014年屋外大型表示装置用高輝度発光ダイオード（LED）の開発（スタンレー、東芝、日亜化学）

1962年にHolonyak Jr.が開発に成功した赤色発光ダイオード（LED）は、種々の化合物半導体結晶技術の開発により、発光波長領域は大幅に拡大し、発光輝度が向上した。1995年頃には、5000cd/m2以上の輝度の、フルカラー表示に必要な光3原色（赤、緑、青：RGB）のLEDが開発され、大型フルカラーLEDディスプレイが実現した。2010年代になると、幅100ｍを超える超大型野外LEDパネルディスプレイが設置されるようになった。

2015年ハロゲンランプ、水銀灯を凌駕する高光束・高効率白色LEDを開発（シチズン電子）

シチズン電子は、青色LED素子や蛍光体材料の改良に加えて、熱伝導率の高いアルミニウム基板にLED素子を直接マウントする独自のパーケージ技術により、1kW級水銀灯と同等の全光束量(6-8万lm)を数百Wの投入電力で実現する高光束・高効率白色LEDを世界に先駆けて開発、製品化した。従来、水銀灯やハロゲンランプが使用されていたスタジアムや舞台の照明など、屋内外の大型照明装置に採用されている。

2017年画素/DRAM/ロジック 3層積層型CMOSイメージセンサー開発（ソニー）

スマートフォンの急速な普及と共に、CMOSイメージセンサー(CIS)は市場を拡大してきた。2012年より出荷開始された、画素とロジック回路を積層した2層積層型CISにより、画素特性向上、ゲート規模増大、カメラモジュールの小型化を実現した。2017年、更にDRAMを積層した3層積層型のCISを開発し、ローリングシャッター歪の低減やSuper SlowMotion等の新たな機能搭載を実現することができた。