2010年代前半FinFETの本格的採用始まる
歪みシリコンチャネルやHK/MG（High-k/Metal Gate）の採用で、45nm node、32nm nodeと微細化を進めてきたCMOSロジックLSIのプレーナ型FETは、22nm nodeになると、短チャネル効果の抑制が一層困難になってきた。22nm nodeでTSMC、UMCはプレーナ型FETを採用したが、GlobalFoundries、Samsungは、林・関川（電総研）が考案したXMOS Transistorを発展させたPD-SOI FETを、Intelは、久本（日立）等の考案したFinFETを採用し、立体構造FETの時代が始まった。16nm nodeでは、TSMC、SamsungもFinFETを採用し、FinFETが2010年代のCMOSロジックLSIの主流になった。
