業界動向 応用製品 集積回路 個別半導体他 プロセス技術 パッケージング技術
2010年
12月19日 ■パッケージング
「1965年頃：ＭＯＳトランジスタの誕生」更新
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「1965年頃：レジンモールドパッケージの開発」更新
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「1966年：日立ＩＣ1号完成」更新
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「1967年：FPG10ピン適用DTLの開発」更新
・「タイトル」追加
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「1968年：ハイブリッドIC技術の開発本格化」更新
・「タイトル」追加
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「1968年：日本初の積層セラミックパッケージ誕生」更新
・「タイトル」追加
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「1969年：FPC42ピンの開発」更新
・「タイトル」追加
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「1970年：ピン挿入型積層セラミックパッケージ開発」更新
・「タイトル」追加
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12月18日 ■集積回路
「1990年代：メインフレーム用CPUのCMOS化」更新
・1990年モジュール、1995年モジュール(ワンモジュールプロセッサ)写真追加
・参考文献、3)安部他、日立評論、vol.77,No5,pp41-44(1995年5月)追加
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■更新記録
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■TOPページ
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■パッケージング
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「IC/LSI用パッケージ外形の変遷(図)」更新
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「1964年頃：マイクロモジュールの開発」更新
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12月10日 ■黎明期の人々
「鳩山 道雄」更新
■集積回路
「1990年代：メインフレーム用CPUのCMOS化」掲載
「1990年代：メインフレーム用CPUのCMOS化」（アブストラクト）更新
「2000年代：SoCのシステム規模拡大」掲載
「2000年代：SoCのシステム規模拡大」（アブストラクト）更新
「1993年：フラッシュ内蔵マイコンの製品化　(日立)」行進
12月9日 ■プロセス技術
「1970年代：リフローによる平坦化技術の採用」更新
「1990年代後半：CMP技術の採用」更新
「1980年代中頃：リフロー法からエッチバックによる平坦化に移行」更新
■パッケージング技術
「1960年頃：トランジスタ用キャンタイプパッケージ」更新
■黎明期の人々
「関 壮夫」更新
12月6日 ■プロセス技術
「1970年代：リフローによる平坦化技術の採用」更新
「1990年代後半：CMP技術の採用」更新
「1960年代：電極・配線形成に蒸着によるAl薄膜使用」更新
12月5日 ■プロセス技術
「1960年代：電極・配線形成に蒸着によるAl薄膜使用」更新
「1980年代中頃：リフロー法からエッチバックによる平坦化に移行」更新
■黎明期の人々
「黎明期の人々」更新
「塚本 哲男」更新
「伴野 正美」更新
「佐々木　正」更新
「大内　淳義」更新
「犬塚英夫」更新
「有住徹彌」更新
「長船広衛」更新
「西島輝行」更新
11月29日 ■パッケージング技術
「1960年頃：トランジスタ用キャンタイプパッケージ」更新
11月27日 ■黎明期の人々
「塚本 哲男」更新
11月22日 ■集積回路
「1990年代：フラッシュメモリの多値化と大容量化」更新
「1990年代：フラッシュメモリの多値化と大容量化」（アブストラクト）更新
11月21日 ■集積回路
「1980年代：不揮発性メモリの進展」掲載
「1980年代：不揮発性メモリの進展」（アブストラクト）更新
「1990年代：フラッシュメモリの多値化と大容量化」掲載
「1990年代：フラッシュメモリの多値化と大容量化」（アブストラクト）更新
「1993年：フラッシュ内蔵マイコンの製品化　(日立)」掲載
「1993年：フラッシュ内蔵マイコンの製品化　(日立)」（アブストラクト）更新
11月20日 ■個別半導体他
「1950年：日本初トランジスタ動作確認（電気通信研究所）」掲載
「1950年：日本初トランジスタ動作確認（電気通信研究所）」（アブストラクト）更新
■黎明期の人々
「岩間　和夫」更新
■プロセス技術
「1970年代：リフローによる平坦化技術の採用」掲載
「プロセス技術」更新
11月16日 ■TOPページ
「背景」更新
■個別半導体他
「1984年：ノン・ラッチ・アップIGBTの発明（東芝）」更新
「2000年：4.5 kV, 1.5 kA IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)の開発（東芝）」更新
11月14日 ■パッケージング技術
「1960年頃：トランジスタ用キャンタイプパッケージファミコンの後継機種スーパーファミコンの発売（任天堂）」更新
「1964年頃：マイクロモジュールの開発」更新
「1960年頃：トランジスタ用キャンタイプパッケージ」更新
「IC/LSIパッケージ外形の変遷」更新
11月13日 ■黎明期の人々
「岩間　和夫」更新
「渡辺　寧」更新
■集積回路
「1968年：CMOS汎用ロジックICの登場　(米国　RCA)」掲載
「1970年代：マイコンの開発と発展」掲載
「1960年代中期：TTLの登場 (米国TI 他)」掲載
「1962年：ECL論理のIC MECL Iの発売　(米国　Motorola)」掲載
■応用製品
「ファミコンの後継機種スーパーファミコンの発売（任天堂）」更新
■TOPページ
「2件」掲載
11月8日 ■黎明期の人々
「柳井久義」更新
11月7日 ■集積回路
「1970年代　ロジックLSI・民生LSIの応用の広がり」取消
「1980年代　A/DコンバータとD/Aコンバータの発展」取消
「1990年代後半　Mixed Signal Device」取消
■ご利用にあたって
「戻る」リンク先変更
■歴史館立上メンバー
「戻る」リンク先変更
11月6日 ■集積回路
「1970年代：日本メーカのDRAM参入と高集積化の進展」ダブりで削除
11月5日 日本半導体歴史館一般公開 ■一般公開に向けて
「理事長挨拶」掲載
11月4日 ■業界動向
「2000年代後半：More than Mooreといわれる半導体技術、製品分野の広がりが本格化」更新
「2000年後半：半導体の微細化、集積化による設備、R/D投資額の巨大化」更新
「1998年：半導体シニア協会設立」更新
■更新記録
「詳細年表」ボタン取外し
■プロセス技術
「1970年代中頃：リソグラフィー技術がコンタクト露光方式からプロキシミティ露光方式へ移行」更新
■応用製品
「1969年：世界初のLSI電卓（マイクロコンペットQT-8D）の発売(シャープ)」更新
「1975年：マイコンシステム開発のためのトレーニングキットのTK-80発売（NEC）」更新
「1975年：カラーVTRが各社より、次々に発売(ソニー、日本ビクター)」更新
「1985年：初代ハンディカムCCD-M8の発売(ソニー)」更新
「1974年：電子腕時計「カシオトロン」を発売、増産へ（カシオ）」更新
■日本半導体歴史館
「TOPページ」全面更新
11月3日 ■業界動向
「2000年代後半：More than Mooreといわれる半導体技術、製品分野の広がりが本格化」更新
「2000年後半：半導体の微細化、集積化による設備、R/D投資額の巨大化」更新
「1975年： ベータ方式VTR発売（ソニー）」（アブストラクト）更新
「1975年： ベータ方式VTR発売（ソニー）」更新
■プロセス技術
「1980年代後半：シリサイドゲートへのスパッタ技術の採用」更新
■黎明期の人々
「黎明期の人々」更新
「岩間　和夫」更新
11月2日 ■黎明期の人々
「西澤　潤一」更新
■応用製品
「1986年：世界最小最軽量VHS-Cビデオムービー「GR-C7」の発売(日本ビクター)」更新
「1975年：カラーVTRが各社より、次々に発売(ソニー、日本ビクター)」更新
「アブストラクト」更新
「1974年：電子腕時計「カシオトロン」を発売、増産へ（カシオ）」更新
「1974年：電子腕時計「カシオトロン」を発売、増産へ（カシオ）」（アブストラクト）更新
■パッケージング技術
「2007年：HEVモータ駆動用パワーカード技術開発」更新
11月1日 ■プロセス技術
「1980年代後半：シリサイドゲートへのスパッタ技術の採用」掲載
■パッケージング技術
「IC/LSI用パッケージ外形の変遷」更新
「1976年：ＴＡＢ技術、電卓用LSIなどに適用」更新
■個別半導体他
「1954年：日本で初めてゲルマニウムトランジスタの販売開始」更新
■応用製品
「1997年：ハイブリッドカーの発売（トヨタ）」更新
「1992年：再生専用ポータブルMDプレーヤー「MDウォークマン」の発売(ソニー)」リンク取消
「1999年：iモードのサービス開始(NTTドコモ)」リンク取消
■業界動向
「1974年頃：オイルショックによる不況により半導体は初めて市場規模が後退」更新
「1970年末：世界の半導体市場は1980年で約3.5兆円であったがトップ3はTI、Motorola、Philipsで1975年から順位は変動せず日本メーカは未だ上位にいない」更新
「2000年後半：半導体の微細化、集積化による設備、R/D投資額の巨大化」更新
「2000年代後半：More than Mooreといわれる半導体技術、製品分野の広がりが本格化」更新
「2000年初頭：通信半導体が成長、専業のFabless メーカが一段と台頭」更新
「2007年：携帯電話急成長、世界で35億台の普及」更新
１０月３１日 ■業界動向
「1970年：世界の半導体市場は8700億円の規模」更新
「2005年：世界の半導体市場は25.1兆円に回復」更新
「1970年初頭：戦後の復興から日本の経済成長は目覚ましく、一人当たりGDPで追うと$2,000(1950年)、 $4,000(1960年)、 $10,000(1970年)で世界の先進国入りを果たした」更新
「2000年：世界の半導体市場は大きく伸び22.5兆円」更新
「2000年初頭：通信半導体が成長、専業のFabless メーカが一段と台頭」更新
「2000年代後半：More than Mooreといわれる半導体技術、製品分野の広がりが本格化」更新
「2007年：携帯電話急成長、世界で35億台の普及」更新
「2008年：日本の民生機器の主力の一つであるDVDはソニーのBlue Ray が世界のDefactoを獲得、またデジタルカメラも日本の世界シェアは依然80％と極めて高い」更新
「2009年：半導体市場は前年比―11％の21.5兆円、ベスト3はIntel、Samsung、 東芝で2008年と変化ない」更新
■パッケージング技術
「1985年：超音波探傷技術の開発」更新
「2002年：インバータ用パワー半導体モジュールの量産拡大」（アブストラクト）更新
「2002年：インバータ用パワー半導体モジュールの量産拡大」更新
■黎明期の人々
「浅川　俊文」掲載
「渡辺　寧」掲載
「柳井　久義」掲載
■応用製品
「1999年：iモードのサービス開始(NTTドコモ)」更新
「1997年：ハイブリッドカーの発売（トヨタ）」更新
「1992年：再生専用ポータブルMDプレーヤー「MDウォークマン」の発売(ソニー)」更新
１０月２７日 ■パッケージング技術
「2005年：RoHS対応非鉛はんだへの切替加速」更新
「1960年頃：トランジスタ用キャンタイプパッケージ」更新
「1967年：ＦＰＧ１０ピン適用DTLの開発」更新
「1969年：FPC42ピンの開発」更新
「1971年：超高性能電子計算機研究組合向け３６ピン開発」更新
「1994年：ＣＳＰのMCMに対する優位性を主張」更新
■プロセス技術
「1960年代後半：CVD酸化膜を低雑音化プロセスに応用」更新
■業界動向
「1996年、1997年：半導体不況（DRAM不況）」更新
「1997年：アジア通貨危機」更新
「1983年：日本製半導体の急速なシェアの拡大に対し、米国半導体メーカの危機感増大」更新
「1993年から1996年：Windows 対応PCブームを背景に世界半導体市場は前年比30％台の好況を維持。（Windows対応PCブーム）」更新
「1977年：米国SIA（半導体工業会）が設立」更新
■パッケージング
「1986年：イオンクロマトグラフ試験の導入」更新
 １０月２６日 ■業界動向
「2000年後半：半導体の微細化、集積化による設備、R/D投資額の巨大化」更新
「1960-70年代：日本半導体メーカは品質重視の経営を徹底」更新
「1970年初頭：戦後の復興から日本の経済成長は目覚ましく、一人当たりGDPで追うと$2,000(1950年)、 $4,000(1960年)、$10,000(1970年)で世界の先進国入りを果たした」更新
「1970年：世界の半導体市場は8700億円の規模」更新
「1970年代後半：日本の半導体市場でコンピュータ、通信、産業機器用市場の成長本格化」更新
「1972年以降：電卓、時計用ICの成長顕著」更新
「1975年：超LSI技術研究組合発足」更新
「1977年：米国SIA（半導体工業会）が設立」更新
「1970年末：世界の半導体市場は1980年で約3.5兆円であったがトップ3はTI, 、Motorola, 、Philipsで1975年から順位は変動せず日本メーカは未だ上位にいない」更新
「2000年初頭：主に製造技術にかかわる官民一体のプロジェクトがスタート」更新
「2000年初頭：通信半導体が成長、専業のFabless メーカが一段と台頭」更新
「2000年代前半：民生、EDP、通信機器自体の競争は一段と激しくなり、半導体の市場構造も大きく変化」更新
「2003年：地上波デジタル放送開始」更新
「2000年後半：More than Mooreといわれる半導体技術、製品分野の広がりが本格化」更新
「2005年：世界の半導体市場は25.1兆円に回復」更新
「2007年：携帯電話急成長、世界で35億台の普及」更新
「2008年：日本の民生機器の主力の一つであるDVDはソニーのBlue Ray が世界のDefactoを獲得、またデジタルカメラも日本の世界シェアは依然80％と極めて高い」更新
「2009年：半導体市場は前年比-11％の21.5兆円、ベスト3はIntel、Samsung、 東芝で2008年と変化ない」更新
■応用製品
「1985年：世界最小最軽量VHS-Cビデオムービー「GR-C7」の発売(日本ビクター)」更新
「1989年：パスポートサイズ8mmムービの発売(ソニー)」更新
「1992年：再生専用ポータブルMDプレーヤ「MDウォークマン」の発売(ソニー)」更新
「1994年：ハイビジョンTV“HDトリニトロン”の発売（ソニー）」更新
「1964年3月：日本初の電子式卓上計算機の発売(シャープ)」更新
「1982年：パソコンの国民機PC-9801の発売(NEC)」更新
「1962年：5インチ型マイクロＴＶ発売、大ヒット(ソニー)」更新
「1958年：トランジスタ式計算機の完成、実用化へ(NEC)」更新
「1960年：トランジスタ式白黒テレビの発売(ソニー)」更新
「1966年：世界初のIC電卓の開発に成功(シャープ)」更新
「1967年：世界初のICラジオの発売(ソニー)」更新
「1969年：業界初のオールトランジスタカラーＴＶの発売(日立)」更新
「1973年：世界初の液晶電卓の発売（シャープ）」更新
「1978年：世界初の実用化CCDビデオカメラXC-1を商品化（ソニー）」更新
「1999年：iモードのサービス開始(NTTドコモ)」更新
■個別半導体他
「1954年：日本で初めてゲルマニウムトランジスタの販売開始」更新
「2002年：10Gbps面発光型半導体レーザー発売（富士ゼロックス）」更新
「2006年：100lm/W白色LED サンプル出荷（日亜化学）」更新
「2009年：世界初1310nm、10Gbps通信用量子ドットレーザー量産開始(QDLaser)」更新
「1997年：車載レーザーレーダー用高出力レーザーダイオード量産（デンソー）」更新
「1997年：スーパージャンクションMOSFET発明（富士電機）」更新
「2000年：4.5 kV, 1.5 kA IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)の開発（東芝）」更新
「2003年：W-CDMA基地局用GaN HEMT開発（富士通）」更新
「2003年3月：青紫色高出力レーザー開発（三洋電機）」更新
「1978年：11万画素CCD撮像素子商品化（ソニー）」更新
「1990年：世界初HDTV向け１インチ200万画素CCD撮像素子開発（ソニー、東芝、松下）」更新
「2008年：35mmフルサイズ2418万画素CMOS撮像素子開発（ソニー）」更新
「1960年：MOSFET発明（BTL）」更新
「1970年：半導体レーザLD室温CW動作成功（BTL）光ファイバ実用化（Corning）」更新
「1980年：6 kV/1.5 kA 光トリガサイリスタ実用化（日立、東芝）」更新
■プロセス技術
「1960年代前半：シリコントランジスタ用にCZ法によるSi結晶の製造開始」更新
「1950年代後半：内製の装置によるゲルマニウムトランジスタの量産が始まる」更新
「1960年代：コンタクト方式リソグラフィ技術によるシリコンデバイスの製造」更新
「1990年代後半：露光光源の短波長化（i 線からエキシマレーザー光へ）」更新
「1990年頃：シャロージャンクション・シリサイドソース／ドレイン技術の使用」更新
「2000年代：露光装置の光源がArFエキシマレーザーに移行し、更にレンズの液浸化適用拡大」更新
「2000年代：解像度高度化技術」更新
「2000年代：高速トランジスタに歪シリコン技術採用」更新
「2000年代前半：300mmウェーハへの移行」更新
「1975年頃：Al-Siスパッタ配線の採用」更新
「1970年代中頃：リソグラフィー技術がコンタクト露光方式からプロキシミティ露光方式へ移行」更新
「1970年代後半：リソグラフィー分野でプロジェクションアライナーが登場」更新
「1980年代前半：微細化が進みリソグラフィはステッパに移行」更新
「2000年代後半：高速トランジスタにHigh-k／メタルゲートの採用」更新
「1970年代後半：等方性プラズマエッチングの採用」更新
「1990年代後半：ダマシン法によるCu配線技術の採用」更新
「1960年代後半：CVD酸化膜を低雑音化プロセスに応用」更新
「1980年代後半：DRAMで立体セル構造を採用」更新
「1990年代：枚葉化装置の量産導入」更新
「1980年代前半：異方性プラズマエッチング装置（RIE）の導入」更新
「1990年代前半：HDPエッチ＆CVD（ECR、ICP）」更新
■パッケージング技術
「1960年頃：トランジスタ用キャンタイプパッケージ」更新
「1960年代：TO型パッケージング構造」更新
「1965年頃：レジンモールドパッケージの開発」更新
「1964年頃：マイクロモジュールの開発」更新
「1965年頃：ＭＯＳトランジスタの誕生」更新
「1966年：日立IC 1号完成」更新
「1967年：ＦＰＧ１０ピン適用DTLの開発」更新
「1968年：ハイブリットICの開発本格化」更新
「1968年：日本初の積層セラミックパッケージ誕生」更新
「1969年：FPC42ピンの開発」更新
「1970年：ピン挿入型積層セラミックパッケージ開発」更新
「1970年：ピン挿入型低融点ガラスパッケージ量産拡大」更新
「1970年：樹脂封止型DILパッケージ製品の展開」更新
「1991年：樹脂基板へのフリップチップ接続技術開発」更新
「1994年：BGAの開発」更新
「1998年：ウェ－ハ上に形成するW-CSP開発」更新
「1971年：超高性能電子計算機研究組合向け３６ピン開発」更新
「1973年：トランジスタ用自動ワイヤボンダーの開発」更新
「1973年：サイドブレーズ型パッケージの開発」更新
「1975年：薄い砥石による自動ダイシング法確立」更新
「1975年：ＰＧＡの開発（世界初）」更新
「1977年頃：ＥＰＲＯＭ用パッケージの開発」更新
「1977年：世界最初のＱＦＰ誕生」更新
「1979年：固体撮像素子の開発」更新
「1980年：高放熱FPG開発」更新
「1982年：MSPの開発」更新
「1982年：ＬＳＩにＣＯＢ技術を適用」更新
「1985年：表面実装技術確立」更新
「1985年：超音波探傷技術の開発」更新
「1986年：イオンクロマトグラフ試験の導入」更新
「1986年：QFPの設計概要世界に説明」更新
「1986年：ＰＬＣＣ型パッケージ採用DRAMの輸入差し止め訴訟提訴」更新
「1987年：ＴＡＢ　ＬＣＤＴＶへの実装方式確立」更新
「1988年：第1回日米半導体パッケージ合同委員会開催」更新
「1988年：１mm厚みQFP量産開始」更新
「1988年：LOC構造開発開始」更新
「1988年：内層2層LF２０８ピンQFP開発」更新
「1990年：小型高放熱パッケージMCC適用大型計算機出荷」更新
「1991年：１６MDRAMにLOC構造採用を発表」更新
「1992年：LGAタイプCSP量産開始」更新
「1994年：ＣＳＰのMCMに対する優位性を主張」更新
「1996年：テープ基板を用いたCSP量産開始」更新
「1997年：ＢＣＣ量産開始」更新
「1997年：QFN量産開始」更新
「1998年：ＦＰＤ画面ドライブ用ＣＯＦの開発」更新
「1998年：エレクトロ二クス実装学会発足」更新
「1999年：高速メモリ用μBGA量産開始」更新
「1999年：電子ＳＩプロジェクトスタート（ASET)」更新
「2000年：低インダクタンスＬＦＰＡＫR(R)の開発」更新
「2000年：無線通信多チャンネルPAMの開発」更新
「2000年頃：各種フラッシュカード誕生」更新
「2002年：初めてのＳｉＰ製品デジカメに採用」更新
「2002年：インバータ用パワー半導体モジュール量産拡大」更新
「2005年：マイクロＳＤカードの多段積層化加速」更新
「2009年：ＴＳＶ採用DRAMメモリモジュール発表」更新
■集積回路
「2001年：FeRAM混載ICカード用LSIの発売 (富士通・松下)」更新
「1970年代：CADツールの登場」更新
「1970年代：SRAMの発展」更新
「1973年：SPICEの開発(米国University of California, Berkeley)」更新
「1980年代：CADツールの発達とEWS化」更新
■黎明期の人々
「菊池　誠」掲載
「垂井　康夫」掲載
「渡辺　寧」掲載
 １０月２５日 ■業界動向
「1984年：日本の半導体需要は前年比150％の高成長を記録。VTR、ゲーム等民生機器,16ビットPC向けDRAMの好調で日系メーカのシェア拡大」掲載
■TOPページ
「TOPページVer1」掲載
「ご利用にあたって」掲載
「歴史館立上メンバー」掲載
■TOPページ
「ご利用にあたって」更新
「歴史館立上メンバー」更新
■黎明期の人々
「西澤　潤一」更新
「垂井　康夫」更新
「渡辺　寧」更新
「菊池　誠」更新
 １０月２４日 ■プロセス技術
「1980年代：プラズマCVD（低温SiO2/SiN）主流」掲載
■集積回路
「1970年代：CADツールの登場」修正
「1958年：半導体ICの発明（Jack Kilby、米国　TI）」更新
「1960年代中頃：電卓用ICの量産開始」更新
「1971年：4ビットマイコンの製品化　(米国Intel)」更新
「1972～1973年：電卓用CMOS LSIの製品化（シャープ、東芝）」更新
「1981年：マイコンのCMOS化」更新
「1980年：16bitマイクロプサッサV30の開発(NEC)」更新
「1985年：ICカード用EEPROM内蔵マイコン開発(日立)」更新
「1988年：TRON仕様準拠のCISC型32ビットマイコンの開発(日立、富士通、三菱電機ほか)」更新
「1992年：独自アーキテクチャの32ビットRISC型マイコン(日立)」更新
 １０月２３日 ■集積回路
「1980年代後半：HDLと論理合成ツールの登場」修正
「1990年前半：CD/CDROM用デジタルサーボLSIの発達」修正
「1992年：独自アーキテクチャの32ビット ＲＩＳＣRISC型マイコン(日立)」修正
「1970年代：日本メーカのDRAM参入と高集積化の進展」掲載
「1980年代：DRAMの大容量化とCMOS化の進展、日本メーカが市場を席巻」掲載
「1971年：4ビットマイコンの製品化　(米国Intel)」更新
「1972～1973年：電卓用CMOS LSIの製品化（シャープ、東芝）」行進
「1973年：SPICEの開発(米国University of California, Berkeley)」更新
「1978年：二重ウエル CMOS高速SRAMの開発　(日立)」更新
「1979年：ワンチップフロッピィディスクコントローラの開発(NEC)」更新
「1970年代：CADツールの登場」更新
「1970年代：SRAMの発展」更新
■業界動向
「1994年：半導体産業研究所（SIRIJ）設立」掲載
「1994年：半導体中期ビジョン委員会報告（1993年～1994年）」掲載
■集積回路（アブストラクト）
「1970年代：日本メーカのDRAM参入と高集積化の進展」更新
「1980年代：DRAMの大容量化とCMOS化の進展、日本メーカが市場を席巻」更新
「1990年代のDecadeの説明」更新
■応用製品
「1955年：日本初のトランジスタ式電子計算機を開発(電気試験所)」修正
 １０月２２日 ■集積回路
「1980年代：ASIC用EDAツールの登場」更新
「1981年：マイコンのCMOS化」更新
「1980年：16bitマイクロプサッサV30の開発(NEC)」更新
「1984年：EPROM内蔵マイコン開発　(日立)」更新
「1984年：非ノイマン型データ駆動プロセッサImPPの開発 (NEC)」更新
「1985年：ICカード用EEPROM内蔵マイコン開発(日立)」更新
「1988年：TRON仕様準拠のCISC型32ビットマイコンの開発(日立、富士通、三菱電機ほか)」更新
「1989年：アナログハイビジョン(MUSE方式)用LSI (各社）」更新
「1980年：ワンチップデジタル信号処理プロセッサの開発(NEC)」更新
「1980年代：CADツールの発達とEWS化」更新
「1980年代：SRAMの大容量化」更新
「1980年代後半：HDLと論理合成ツールの登場」更新
「1990年代：DRAMの大容量化と高速化　DRAMビジネスの大転換」更新
「1990年前半：CD/CDROM用デジタルサーボLSIの発達」更新
「1997年：ワンチップMPEG2エンコーダの開発(NEC)」更新
「1992年：独自アーキテクチャの32ビットＲＩＳＣRISC型マイコン(日立)」更新
「2000年代：新構造デバイスの模索」更新
「2001年：FeRAM混載ICカード用LSIの発売 (富士通・松下)」更新
「2005年：Cell Broadband Engine(TM)の開発(東芝、IBM、ソニーグループ)」更新
「2000年代：新メモリの開発」更新
「アブストラクト」」並び替え
「1990年代　システムLSI(SoC)の時代」アブストラクト更新
「1990年代後半：液晶用ドライバ(LCDドライバ)の発展」アブストラクト更新
「2000年代：SoCのシステム規模拡大」アブストラクト更新
■業界動向（アブストラクト）
「1985年：欧州でEUREKAが発足、1984年IMEC設立」更新
「1986年：世界半導体市場における日本半導体シェアは米国を抜き世界の第一供給者となった」更新
「1987年：日米半導体協定不履行を理由に米国政府による通商法301条に基づく報復関税措置」更新
■業界動向
「1997年：第一回WSC開催」更新
「1947年12月：米国AT&Tベル研究所にて点接触型ゲルマニウムトランジスタ発明」更新
「1956年2月：米国西海岸に半導体研究所が設立、シリコンバレーのスタート」更新
「1958年：米国でICの開発、発明」更新
「1959年：日本、ゲルマニウムトランジスタの生産で世界一」更新
「1959年：米国でシリコントランジスタの商用化に成果」更新
「1965年以降：躍進する日本メーカは米国よりIC技術を導入する一方、独自で開発、量産を積極推進」更新
「1979年：Intel16ビットMPU8088を発表、1982年にIBM PC 及びIBM互換機で採用された」更新
「1968年：Intel 設立」更新
■個別半導体他
「1947年：点接触トランジスタ発明(BTL)」アブストラクト更新
「1959年：プレーナ技術 発明（Fairchild）」更新
「1974年：静電誘導トランジスタ（SIT）オーディオ増幅器発売（ヤマハ）」更新
■プロセス技術
「1990年代後半：シャロートレンチアイソレーション（STI）の採用」アブストラクト更新
「2000年代：配線層間膜のLow-k化進展」更新
■黎明期の人々
「西澤　潤一」更新
■応用製品
「1955年：日本初のトランジスタ式電子計算機を開発(電気試験所)」更新
「1964年3月：日本初の電子式卓上計算機の発売(シャープ)」更新
「1973年：電子腕時計「カシオトロン」を発売、増産へ（カシオ）」更新
「1975年：カラーVTRが各社より、次々に発売(ソニー、日本ビクター)」更新
「1978年7月1日：携帯型ステレオカセットプレーヤーウォ―クマン、大ヒット(ソニー)」更新
「1982年：世界初のCDプレーヤの発売（ソニー）」更新
「1996年：DVDプレーヤの発売(ソニー)」更新
「1993年：世界発のプラズマディスプレイの商品化（富士通ゼネラル）　」アブストラクト更新
 １０月２１日 ■応用製品
「1997年：ハイブリッドカーの発売（トヨタ）」更新
「2004年：デジタル一眼レフカメラの発売（オリンパス）」更新
■個別半導体他
「1978年：GaAs/AlGaAs半導体レーザー市販（日立、三菱電機）」更新
■パッケージング
「1976年：ＴＡＢ技術、電卓用LSIなどに適用」更新
「1998年：スタックドＣＳＰ量産開始」更新
■業界動向（アブストラクト）
「1960－1970年代：日本半導体メーカは品質重視の経営を徹底」更新
「1969年：Intelは世界で初の半導体メモリーSRAM3101を発表、半導体メモリがコンピュータのコアメモリを置き換え始めた」更新
「1969年： セイコーは世界初の電子式腕時計アストロンを発表」更新
「1970年代後半：日本の半導体市場でコンピュータ、通信、産業機器用市場の成長本格化」更新
「1970－中頃年：日、米でCPU 開発が進展」更新
「1979年：Intel16ビットMPU8088を発表、1982年にIBM PC 及びIBM互換機で採用された」更新
「2000年代の説明」更新
「2008年：TSMCは創業から21年で世界のファンダリー市場の50％シェア獲得」更新
■業界動向
「1953年-中頃：日本メーカ、ゲルマニウムトランジスタの生産開始」更新
「1965年：ムーアの法則がシリコンバレーから発表」更新
「1968年：Intel 設立」更新
「1969年：Intelは世界で初の半導体メモリSRAM3101を発表、半導体メモリがコンピュータのコアメモリを置き換え始めた」更新
「1969年： セイコーは世界初の電子式腕時計アストロンを発表」更新
「1970年中頃以降：日本半導体メーカは生産自動化を強力に推進」更新
「1970－中頃年：日、米でCPU 開発が進展」更新
「1979年：Intel16ビットMPU8088を発表、1982年にIBM PC 及びIBM互換機で採用された」更新
「2000年：世界の半導体市場は大きく伸び22.5兆円」更新
「2002年1月：東芝DRAM事業撤退NANDに集中」更新
「2002年：NEC エレクトロニクスが分社化、2003年日立と三菱のSOC合弁会社ルネサステクノロジが設立、日本メーカの分社化、合併等の構造改革が本格化」更新
「2008年：TSMCは創業から21年で世界のファンダリー市場の50％シェア獲得」更新
■集積回路
「1973年：エンジン制御用12ビットマイコン開発（東芝）」更新
「2000年代後半：プロセッサはマルチコアの時代へ」更新
「1960年代初：国産ICのスタート」更新
「1960年代中：電卓用ICの量産開始」更新
「1965年：ムーアの法則の提唱　(Gordon E. Moore)」更新
「1969年：電卓用PMOS LSIの生産開始(米国North American Rockwell)」更新
「1958年：半導体ICの発明（Jack Kilby、米国　TI）」更新
「1960年代後半：MOSメモリの萌芽」更新
「1960年代後半：民生用アナログICの製品化」更新
■個別半導体他（アブストラクト）
「1981年：通信向GaAs MESFET 世界市場の80%独占」削除
「1959年：日本のゲルマニウムトランジスタ生産量、世界トップ」削除
■黎明期の人々
「黎明期の人々」修正
「青木　昌治」修正
「浅川　俊文」修正
「有住　徹彌」修正
「井深　大」修正
「犬塚　英夫」修正
「岩瀬　新午」修正
「岩間　和男」修正
「江崎　玲於奈」修正
「大内　淳義」修正
「長船　広衛」修正
 １０月２０日 ■集積回路（アブストラクト）
「1962年：ECL論理のIC MECL Iの発売　(米国　Motorola)」更新
「1960年代中：TTLの登場」更新
「1970年代のDecadeの説明」更新
「1971年：2KビットEP-ROMの開発(米国　Intel)」更新
「1970年代：日本メーカのDRAM参入と高集積化の進展」更新
「1970年代：マイコンの開発と発展」更新
「1970年代前半：時計用CMOS LSIの発展」更新
「1970年代：ロジックLSI・民生LSIの応用の広がり」更新
「1974年： MOSFETの比例縮小則発表(R. Dennard 米国　IBM)」追加
「1980年代：DRAMの大容量化とCMOS化の進展、日本メーカが市場を席巻」更新
「1980年代：不揮発性メモリの進展」更新
「1980年代：A/DコンバータとD/Aコンバータの発展」更新
「1990年代のDecadeの説明」更新
「1990年代：NANDフラッシュメモリの大容量化と多値化」更新
「1990年代前半：メインフレーム用CPUのCMOS化　(日立ほか)」更新
「1990年代後半：Mixed Signal Device」更新
「1990年代後半：液晶用ドライバ(LCDドライバ)の発展」更新
「2000年代のDecadeの説明」更新
「2000年代：SOCのシステム規模拡大」更新
「1992年：独自アーキテクチャの32ビットRISC型マイコン　(日立)」更新
「1990年代：DRAMの大容量化と高速化　DRAMビジネスの大転換」更新
■ようこそ
「ご挨拶」更新
■パッケージング
「2007年：HEVモータ駆動用パワーカード技術開発」更新
 １０月１９日 ■業界動向
「1986年での世界半導体市場における日本半導体シェアは米国を抜き世界の第一供給者となった」掲載
「1987年：日米半導体協定不履行を理由に米国政府による通商法301条に基づく報復関税措置」掲載
「1987年：米国SEMATECH（半導体共同開発機構）設立」掲載
「1993年：世界半導体シェア、日本が再び米国に抜かれる。アジアメーカの躍進」掲載
「1996年：日米半導体協定終結交渉」掲載
「1997年：第1回WSC開催」掲載
「1980年代前半：日本の半導体はDRAMでシェア拡大。1981年には64KDRAMで世界NO１シェアを確保」掲載
「1998年：DRAMシェアで韓国メーカが日本メーカを逆転」掲載
「1985年：欧州でEUREKAが発足、1984年IMEC設立」掲載
「1985年8月：日米政府間での半導体問題協議が開始され、1986年9月日米半導体協定締結」掲載
■個別半導体他
「1947年：点接触トランジスタ発明(BTL)」掲載
「1959年：プレーナ技術 発明（Fairchild）」掲載
「1963年：CMOS発明（Fairchild）」掲載
■プロセス技術
「1990年代後半：シャロートレンチアイソレーション（STI）の採用」掲載
「2000年代：配線層間膜のLow-k化進展」掲載
「1960年代後半：常圧CVDによる酸化膜採用」掲載
「1960年代前半：横型拡散炉による熱酸化膜及び気相拡散へ移行」掲載
 １０月１８日 ■黎明期の人々
「黎明期の人々」掲載
「青木　昌治」掲載
「浅川　俊文」掲載
「有住　徹彌」掲載
「井深　大」掲載
「犬塚　英夫」掲載
「岩瀬　新午」掲載
「岩間　和男」掲載
「江崎　玲於奈」掲載
「大内　淳義」掲載
「長船　広衛」掲載
「菊池　誠」掲載
「佐々木　正」掲載
「関　壮夫」掲載
「武井　忠之」掲載
「垂井　康夫」掲載
「塚本　哲男」掲載
「伴野　正美」掲載
「西澤　潤一」掲載
「西嶋　輝行」掲載
「鳩山　道夫」掲載
「宮城　精吉」掲載
「柳井　久義」掲載
「渡辺　寧」掲載
「武石　喜幸」掲載
「西嶋　輝行」写真追加
「犬塚　英夫」写真追加
■プロセス技術
「1980年代前半：イオン注入による拡散源形成に移行」掲載
「1960年代前半：シリコントランジスタ製造にエピタキシャル技術を採用」掲載
 １０月１７日 ■集積回路
「1970年：1KビットDRAMの開発(米国Intel)」掲載
「1973年：エンジン制御用12ビットマイコン開発（東芝）」掲載
「1980年代前半：ゲートアレイとスタンダードセル方式のASICの登場と発展」掲載
「1984年：フラッシュメモリの登場　(東芝)」掲載
「1985年：FPGAの開発　(米国　Xilinx)」掲載
「2000年代：フラッシュメモリは全盛期へ」掲載
「2000年代：設計と製造の連携強化」掲載
「1981年：マイコンのCMOS化 (日立)」更新
「2000年代後半：プロセッサはマルチコアの時代へ」更新
「1960年代初：国産ICのスタート」更新
「1960年代中：電卓用ICの量産開始」更新
■プロセス技術
「1970年代前半：イオン注入による閾値制御」掲載
「1970年代前半：Poly Si／Oxide／SiNの成膜に減圧CVDを採用」掲載
「1960年代前半：シリコントランジスタ製造にエピタキシャル技術を採用」掲載
 １０月１５日 ■応用製品
「1957年：エサキダイオード発明」更新
「1978年：GaAs/AlGaAs半導体レーザー市販（日立、三菱電機）」更新
「1979年：HEMT（高移動度トランジスタ）の発明（富士通）」更新
「1979年12月-1980年8月：1.3μm帯半導体レーザーの開発（NEC、日立、富士通）」更新
「1968年4月：UHF帯メッシュエミッタトランジスタ発明（富士通）」更新
「1969年9月：DSA MOS FET の発明（電総研）」更新
「1981年：動的単一モードInGaAsP/InP DFBレーザー開発（NTT,　KDD）」更新
「1982年：CD向けVSISレーザー商品化（シャープ）」更新
「1985年：U-MOSFET　発明　（松下）」更新
「1987年：衛星TV受信向低雑音HEMT発売（富士通・ソニー）」更新
「1993年：世界初高輝度InGaN/GaN青色LED商品化（日亜化学）」更新
「1975年：高出力GaAs　MESFET　市販開始（富士通）」更新
「1974年：静電誘導トランジスタ（SIT）オーディオ増幅器　発売（ヤマハ）」更新
 １０月１３日 ■ようこそ
「ご挨拶」全面更新
■応用製品
「1955年8月：日本初のトランジスタラジオ(TR-55)の発売(ソニー)」更新
「1955年：日本初のトランジスタ式電子計算機を開発(電気試験所)」更新
「1969年：世界初の電子式腕時計（アストロン）の発表(セイコー)」更新
「1969年：世界初のLSI電卓（マイクロコンペットQT-8D）の発売(シャープ)」更新
「1973年：電子腕時計「カシオトロン」を発売、増産へ（カシオ）」更新
「1975年：マイコンシステム開発のためのトレーニングキットのTK-80発売（NEC）」更新
「1975年：カラーVTRが各社より、次々に発売(ソニー、日本ビクター)」更新
「1978年7月1日：携帯型ステレオカセットプレーヤーウォ―クマン、大ヒット(ソニー)」更新
「1982年：世界初のCDプレーヤの発売（ソニー）」更新
「1982年：世界初の液晶TVの発売（エプソン）」更新
「1983年7月15日：家庭用ゲーム機ファミコンの発売（任天堂）」更新
「1984年：マイクロピエゾ方式プリンター「IP-130K」の発売（セイコーエプソン）」更新
「1985年1月8日：初代ハンディカムCCD-M8の発売(ソニー)」更新
「1989年：携帯型ゲーム機「ゲームボーイ」の発売（任天堂）」更新
「1990年：GPSカーナビゲーションシステムの発売(マツダ、三菱)」更新
「1990年：ファミコンの後継機種スーパーファミコンの発売（任天堂）」更新
「1991年4月：ムーバ発売(NTT)、本格的携帯電話の市場投入」更新
「1993年：世界初のプラズマディスプレイを商品化（富士通ゼネラル）」更新
「1994年：家庭用ゲーム機プレイステーション（PlayStation）の発売（ソニー）」更新
「1995年3月：デジタルカメラQV10の発売、大ヒット(カシオ)」更新
「1996年：DVDプレーヤの発売(ソニー)」更新
「1997年：ハイブリッドカーの発売（トヨタ）」更新
「1999年：世界初のDVDレコーダーの発売（パイオニア）」更新
「1999年：ネットワークウオークマンの発売（ソニー）」更新
「2000年：DVD再生機能のある「プレイステーション2(PS2)」の発売（ソニー）」更新
「2000年後半：電気自動車開発競争が激化」更新
「2001年：Apple 社よりデジタルオーディオプレーヤi-Pod発売」更新
「2001年11月18日：非接触ICカード(Suica等)の利用開始」更新
「2001年：W-CDMAモバイル各社より発売（NTTドコモ）」更新
「2003年：世界初のブルーレイディスクレコーダーの発売（ソニー）」更新
「2004年：デジタル一眼レフカメラの発売（オリンパス）」更新
「2006年：高精細画質のプレステーション３(ＰＳ３)の発売（ソニー）」更新
「2010年：新タイプのタブレット型コンピュータiPadの発売（Apple）」更新
 １０月１２日 ■集積回路
「1978年：二重ウエル CMOS高速SRAMの開発　(日立)」掲載
「1980年代：CADツールの発達とEWS化」掲載
「1980年代：SRAMの大容量化」掲載
「1980年代：ASIC用EDAツールの登場」掲載
「1984年：EPROM内蔵マイコン開発　(日立)」掲載
「1985年： ICカード用EEPROM内蔵マイコン開発(日立)」掲載
「1988年：TRON仕様準拠のCISC型32ビットマイコンの開発(日立、富士通、三菱電機ほか)」掲載
「1992年： 独自アーキテクチャの32ビットRISC型マイコン(日立)」掲載
「1990年代：SoCの発展」掲載
「1990年代：DRAMの大容量化と高速化　DRAMビジネスの大転換」掲載
 １０月１１日 ■個別半導体他
「1993年：世界初高輝度InGaN/GaN青色LED商品化（日亜化学）」更新
■集積回路
「1958年：半導体ICの発明（Jack Kilby、米国　TI）」掲載
「1959年：プレーナ型ICの発明（Robert Noyce、米国　Fairchild）」掲載
「1960年代後半：MOSメモリの萌芽」掲載
「1960年代初：国産ICのスタート」掲載
「1960年代中：電卓用ICの量産開始」掲載
「1965年：ムーアの法則の提唱　(Gorden E. Moore)」掲載
「1969年：電卓用PMOS LSIの生産開始　(米国North American Rockwell)」掲載
「1970年代：CADツールの登場」掲載
「1970年代：SRAMの発展」掲載
「1973年：SPICEの開発　(米国　University of California, Berkeley)」掲載
 １０月１０日 ■プロセス技術
「1960年代前半：シリコントランジスタ用にCZ法によるSi結晶の製造開始」掲載
■パッケージング
「1982年：MSPの開発」更新
「1965年頃：レジンモールドパッケージの開発」更新
■個別半導体他
「2002年：10Gbps面発光型半導体レーザー発売（富士ゼロックス）」更新
「2006年：100 lm/W白色LED サンプル出荷（日亜化学）」更新
「2009年：世界初1310nm、10Gbps通信用量子ドットレーザー量産開始(QDLaser)」更新
「1993年：世界初高輝度InGaN/GaN青色LED商品化（日亜化学）」更新
「1995年：DVD向け650 nm帯AlGaInP系レーザー開発（松下、東芝、シャープ、ソニー）」更新
「1997年：車載レーザーレーダ用高出力レーザダイオード量産（デンソー）」更新
「1997年：スーパージャンクションMOSFET発明（富士電機）」更新
「2000年：4.5kV, 1.5kA IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)の開発（東芝）」更新
「2003年：W-CDMA基地局用GaN HEMT開発（富士通）」更新
「2003年3月：青紫色高出力レーザー開発（三洋電機）」更新
「1957年：エサキダイオード発明」掲載
「1963年：(100)面MOSFETならびにB-T処理技術　発明（日立）」掲載
 １０月９日 ■プロセス技術
「1970年代後半：等方性プラズマエッチングの採用」更新
「1990年代後半：CMP技術の採用」更新
「1950年代後半：内製の装置によるゲルマニウムトランジスタの量産」更新
■個別半導体他
「1970年：半導体レーザLD室温CW動作成功（BTL）、光ファイバ実用化（Corning）」更新
■パッケージング
「2007年頃：HEVモータ駆動用パワーカード技術開発」更新
「1970年前半：樹脂封止型DILパッケージ製品の展開」更新
「1998年：スタックドCSP量産開始」（アブストラクト）更新
「1960年頃：トランジスタ用キャンタイプパッケージ」更新
 １０月６日 ■業界動向
「2002年：NEC エレクトロニクスが分社化、2003年日立と三菱のSOC合弁会社ルネサステクノロジが設立、日本メーカの分社化、合併等の構造改革が本格化」（アブストラクト、詳細）更新
「2002年1月：東芝DRAM事業撤退NANDに集中」（詳細）更新
「2000年後半：More than Mooreといわれる半導体技術、製品分野の広がりが本格化」（詳細）更新
■プロセス技術
「1990年代前半：HDPエッチ＆CVD（ECR、ICP）」掲載
「1990年代前半：200mm（8インチ）ウェーハへの移行」（詳細）更新
■議事録
「日本半導体歴史館　９／３０委員会会議録」掲載
「既提出原稿の修正手順」掲載
 １０月５日 ■個別半導体他
「1960年：MOSFET発明（BTL）」掲載
「1970年：半導体レーザLD室温CW動作成功（BTL）、光ファイバ実用化（Corning）」掲載
「1980年：6 kV/1.5 kA 光トリガサイリスタ実用化（日立、東芝）」掲載
■集積回路
「2000年代：新構造デバイスの模索」更新
「2001年：FeRAM混載ICカード用LSIの発売 (富士通・松下)」更新
 １０月４日 ■個別半導体他
「1981年：動的単一モードInGaAsP/InP DFBレーザー開発（NTT,　KDD）」更新
■業界動向
「1969年： セイコーウオッチ(株)は世界初の電子式腕時計アストロンを発表」（詳細）再更新
「1969年：シャープが電卓QT-8D発売」（アブストラクト）再更新
「1965年：「ムーアの法則」がシリコンバレーから発表」更新
「アブストラクト」の順番入替
「1970年中頃以降：日本半導体メーカは生産自動化を強力に推進」更新
「1979年： Intel 8ビットMPU8085がMicrosoftのソフトMSDOSとともにIBM PCに採用」更新
「1970年末：世界の半導体市場は1980年で約3.5兆円であったがトップ3はTI、Motorola、Philipsで1975年から順位は変動せず日本メーカは未だ上位にいない」更新
 １０月３日 ■個別半導体他
「1990年：世界初HDTV向け１インチ200万画素CCD撮像素子開発（ソニー、東芝、松下）」掲載
「2008年：35mmフルサイズ2418万画素CMOS撮像素子開発（ソニー）」掲載
■業界動向
「1965年：「ムーアの法則」がシリコンバレーから発表」（詳細）更新
「1969年： セイコーウオッチ(株)は世界初の電子式腕時計アストロンを発表」（詳細）更新
「1969年：シャープが電卓QT-8D発売」（アブストラクト）更新
■パッケージング
「2000年：低インダクタンス型トランジスタLFPAK(R)の開発」（アブストラクト）更新
「2000年：無線通信多チャンネルPAMの開発」（アブストラクト）更新
「2002年：初めてのＳｉＰ製品デジカメに採用」（詳細）更新
「2002年：インバータ用パワー半導体モジュール量産拡大」（詳細）更新
 １０月２日 ■個別半導体
「1981年：動的単一モードInGaAsP/InP DFBレーザー開発（NTT,　KDD）」更新
「2003年3月青紫色　高出力レーザー開発（三洋電機）」更新
■業界動向
「米国AT&Tベル研究所にて点接触型ゲルマニウムトランジスタ発明」更新
■プロセス技術
「1980年代前半：異方性プラズマエッチング装置（RIE）の導入」掲載
■個別半導体他
「1978年：11万画素CCD撮像素子開発商品化（ソニー）」掲載
 ９月２９日 ■プロセス技術
「1990年代前半：200mm（8インチ）ウェーハへの移行」掲載
「1990年代：枚葉化装置の量産導入」更新
 ９月２８日 ■業界動向
「2000年：世界の半導体市場は大きく伸び22.5兆円」掲載
「2000年初頭：主に製造技術にかかわる官民一体のプロジェクトがスタート」掲載
「2000年初頭：通信半導体が成長、専業のFabless メーカが一段と台頭」掲載
「2000年代前半：民生、EDP、通信機器自体の競争は一段と激しくなり、半導体の市場構造も大きく変化」掲載
「2002年1月：東芝DRAM事業撤退NANDに集中」掲載
「2002年：NEC エレクトロニクスが分社化、2003年日立と三菱のSOC合弁会社ルネサステクノロジが設立、日本メーカの分社化、合併等の構造改革が本格化」掲載
「2003年：地上波デジタル放送開始」掲載
「2000年後半：半導体の微細化、集積化による設備、R/D投資額の巨大化」掲載
「2000年後半：More than Mooreといわれる半導体技術、製品分野の広がりが本格化」掲載
「2005年：世界の半導体市場は25.1兆円に回復」掲載
「2007年：携帯電話急成長、世界で35億台の普及」掲載
「2008年：日本の民生機器の主力の一つであるDVDはソニーのBlue Ray が世界のDefactoを獲得、またデジタルカメラも日本の世界シェアは依然80％と極めて高い」掲載
「2008年：TSMCは創業から10年で世界のファンダリーの50％のシェア獲得」掲載
「2009年：半導体市場は前年比-11％の21.5兆円、ベスト3はIntel、Samsung、 東芝で2008年と変化ない」掲載
 ９月２７日 ■集積回路
「2000年代：新構造デバイスの模索」掲載
「2000年代後半：プロセッサはマルチコアの時代へ」掲載
「2001年：FeRAM混載ICカード用LSIの発売 (富士通・松下)」掲載
「2005年：Cell Broadband Engine(TM) の開発　(東芝、IBM、ソニー)」掲載
■業界動向（更新）
「1947年12月：米国AT&Tベル研究所にて点接触型ゲルマニウムトランジスタ発明」更新
「1953年-中頃：日本メーカ、ゲルマニウムトランジスタの生産開始」更新
「1956年2月：米国西海岸サンタクララ郡に半導体研究所が設立された。”シリコンバレー”のスタート」更新
「1958年：米国でICの開発、発明」更新
「1959年：日本、ゲルマニウムトランジスタの生産で世界一」更新
「1959年：米国でシリコントランジスタの商用化に成果」更新
「1960－1970年代：日本半導体メーカは品質重視の経営を徹底」更新
「1960年初頭：日本は世界最大のトランジスタ生産国」更新
「1965年：「ムーアの法則」がシリコンバレーから発表」更新
「1965年以降：躍進する日本メーカは米国よりIC技術を導入する一方、独自で開発、量産を積極推進」更新
「1968年：政府の産業育成策で超高性能電子計算機研究組合の設立」更新
「1968年：Intel設立」更新
「1969年：シャープが電卓QT-8D発売」更新
「1969年： セイコーウオッチ(株)は世界初の電子式腕時計アストロンを発表」更新
「1969年以降：電電公社は通信機応用LSIの開発を積極推進」更新
「1969年：Intelは世界で初の半導体メモリーSRAM3101を発表」更新
「1970年代前半：日本で自動車のＩＣ化が米国に先駆け進行」更新
「1971年：Intelは4ビットMPU4004を開発」更新
「1974年頃： オイルショックによる不況により半導体は初めて市場規模が後退」更新
「1974年：日本のICの輸入完全自由化」更新
「1975年： ソニーベータ方式VTR発売」更新
---------------------------------------------------------
■業界動向（掲載）
「1970年初頭： 戦後の復興から日本の経済成長は目覚ましく、一人当たりGDPで追うと$2,000(1950年)、 $4,000(1960年)、 $10,000(1970年)で世界の先進国入りを果たした」掲載
「1970年代前半：日本で自動車のＩＣ化が米国に先駆け進んだ進行」掲載
「1970年：世界の半導体市場は8700億円の規模」掲載
「1970年中頃以降：日本半導体メーカは生産自動化を強力に推進」掲載
「1970年代後半：日本の半導体市場でコンピュータ、通信、産業機器用市場の成長本格化」掲載
「1972年以降：電卓、時計用ICの成長顕著」掲載
「1975年：超LSI技術研究組合発足」掲載
「1977年： 米国SIA（半導体工業会）が設立」掲載
「1979年： Intel 8ビットMPU8085がMicrosoftのソフトMSDOSとともにIBM PCに採用」掲載
「1970年末：世界の半導体市場は1980年で約3.5兆円であったがトップ3はTI、Motorola、Philipsで1975年から順位は変動せず日本メーカは未だ上位にいない」掲載
 ９月２６日 ■パッケージング
「1971年：超高性能電子計算機研究組合向け36ピン開発」（アブストラクト・詳細）更新
「1996年：テープ基板を用いたCSP量産開始」（アブストラクト・詳細）更新
「1998年：スタックドCSP標準化発表」（アブストラクト・詳細）更新
■集積回路
「1979年：ワンチップフロッピィディスクコントローラの開発(NEC)」掲載
「1980年：ワンチップデジタル信号処理プロセッサの開発(NEC)」掲載
「1983年：16bitマイクロプサッサV30の開発(NEC)」掲載
「1984年：非ノイマン型データ駆動プロセッサImPPの開発(NEC)」掲載
「1997年：ワンチップMPEG2エンコーダの開発(NEC)」掲載
■業界動向
「1970年代前半：日本で自動車のＩＣ化が米国に先駆け進んだ」（アブストラクト）修正
「1971年：Intelは4ビットMPU4004を開発」（詳細）修正
「1974年：日本のICの輸入完全自由化」（詳細）修正
「1974年頃： オイルショックによる不況により半導体は初めて市場規模が後退」（詳細）修正
「1975年： ソニーベータ方式VTR発売」（アブストラクト）修正
「1965年：「ムーアの法則」がシリコンバレーから発表」（アブストラクト・詳細）更新
「1969年：セイコーウオッチ(株)は世界初の電子式腕時計アストロンを発表」（アブストラクト・詳細）更新
■集積回路
「1960年代後半：民生用アナログICの製品化」掲載
「1972～1973年：電卓用CMOS LSIの製品化（シャープ、東芝）」掲載
「1981年：マイコンのCMOS化」掲載
「1989年：アナログハイビジョン(MUSE方式)用LSI (各社）」掲載
「1990年前半：CD/CDROM用デジタルサーボLSIの発達」掲載
「2000年代：新メモリの開発」掲載
 ９月２５日 ■パッケージング
「2000年：低インダクタンスＬＦＰＡＫ(R)の開発」掲載
「2000年：無線通信多チャンネルPAMの開発」掲載
「2000年頃：各種フラッシュカード誕生」掲載
「2002年：初めてのＳｉＰ製品デジカメに採用」掲載
「2002年：インバータ用パワー半導体モジュール量産拡大」掲載
「2005年：マイクロＳＤカードの多段積層化加速」掲載
「2005年：RoHS対応非鉛はんだへの切替加速」掲載
「2007年：HEVモータ駆動用パワーカード技術開発」掲載
「2009年：ＴＳＶ採用DRAMメモリモジュール発表」掲載
-------------------------------------------
「1992年：LGAタイプCSP量産開始」（アブストラクト・詳細）更新
「1997年：QFN量産開始」（詳細）更新
「1999年：電子ＳＩプロジェクトスタート（ASET)」（アブストラクト・詳細）更新
 ９月２４日 ■パッケージング
「1982年：MSPの開発」更新
「1986年：QFPの設計概要世界に説明」更新
「1986年：ＰＬＣＣ型パッケージ採用DRAMの輸入差し止め訴訟提訴」更新
「1990年：小型高放熱パッケージMCC適用大型計算機出荷」掲載
「1991年：１６MDRAMにLOC構造採用を発表」掲載
「1992年：LGAタイプCSP量産開始」掲載
「1994年：ＣＳＰのMCMに対する優位性を主張」掲載
「1997年：テープ基板を用いたCSP量産開始」掲載
「1997年：ＢＣＣ量産開始」掲載
「1997年：QFN量産開始」掲載
「1998年：スタツクドＣＳＰ標準化発表」掲載
「1998年：ＦＰＤ画面ドライブ用ＣＯＦの開発」掲載
「1998年：エレクトロ二クス実装学会発足」掲載
「1999年：高速メモリ用μBGA量産開始」掲載
「1999年：電子ＳＩプロジェクトスタート（ASET)」掲載
 ９月２３日 ■パッケージング
「1980年：高放熱FPG開発」掲載
「1982年：MSPの開発」掲載
「1982年：ＬＳＩにＣＯＢ技術を適用」掲載
「1985年：表面実装技術確立」掲載
「1985年：超音波探傷技術の開発」掲載
「1986年：イオンクロマトグラフ試験の導入」掲載
「1986年：QFPの設計概要世界に説明」掲載
「1986年：ＰＬＣＣ型パッケージ採用DRAMの輸入差し止め訴訟提訴」掲載
「1987年：ＴＡＢ　ＬＣＤＴＶへの実装方式確立」掲載
「1988年：第1回日米半導体パッケージ合同委員会開催」掲載
「1988年：１ｍｍ厚みQFP量産開始」掲載
「1988年：LOC構造開発開始」掲載
「1989年：内層2層LF２０８ピンQFP開発」掲載
 ９月２２日 ■パッケージング
「1977年：世界最初のＱＦＰ誕生」更新
 ９月２１日 ■パッケージング
「1970年：ピン挿入型低融点ガラスパッケージ量産拡大」掲載
「1970年：樹脂封止型DILパッケージ製品の展開」掲載
「1991年：樹脂基板へのフリップチップ接続技術開発」掲載
「上記アブストラクト」修正
「1993年：BGAの開発」掲載
「上記アブストラクト」修正
「1998年：ウェ－ハ上に形成するW-CSP開発」掲載
「上記アブストラクト」追加
「1971年：超高速電子計算機研究組合向け３６ピン開発」掲載
「1973年：トランジスタ用自動ワイヤボンダーの開発」掲載
「197３年：サイドブレーズ型パッケージの開発」掲載
「1975年：薄い砥石による自動ダイシング法確立」掲載
「1975年：ＰＧＡの開発（世界初）」掲載
「1976年：ＴＡＢ技術、電卓用LSIなどに適用」掲載
「197７年：ＥＰＲＯＭ用パッケージの開発」掲載
「1977年：世界最初のＱＦＰ誕生」掲載
「1979年：固体撮像素子の開発」掲載
 ９月２０日 ■パッケージング
「アブストラクト」全面修正
「1960年頃：トランジスタ用キャンタイプパッケージ」全面修正
「1964年：マイクロモジュールの開発」全面修正
「1965年：ＭＯＳトランジスタの誕生」全面修正
「1965年：レジンモールドパッケージの開発」全面修正
「1966年：日立ＩＣ１号完成」全面修正
「1967年：ＦＰＧ１０ピン適用DTLの開発」全面修正
「1968年：ハイブリットICの開発本格化」全面修正
「1968年：日本初の積層セラミックパッケージ誕生」全面修正
「1969年：ＦＰＣ４２ピンの開発」全面修正
「1970年：ピン挿入型積層セラミックパッケージ開発」全面修正
■一部リンク全面修正
 ９月１９日 ■パッケージング
「アブストラクト」タイトルのみ追加・修正
「1960年頃：トランジスタ用キャンタイプパッケージ」修正
「1964年：マイクロモジュールの開発」掲載
「1965年：ＭＯＳトランジスタの誕生」掲載
「1965年：レジンモールドパッケージの開発」修正
「1966年：日立ＩＣ１号完成」掲載
「1967年：ＦＰＧ１０ピン適用DTLの開発」掲載
「1968年：ハイブリットICの開発本格化」掲載
「1968年：日本初の積層セラミックパッケージ誕生」掲載
「1969年：ＦＰＣ４２ピンの開発」掲載
「1970年：ピン挿入型積層セラミックパッケージ開発」掲載
 ９月１８日 ■業界動向
「1970年代前半：日本で自動車のＩＣ化が米国に先駆け進んだ」掲載
「1971年：Intelは4ビットMPU4004を開発」掲載
「1974年：日本のICの輸入完全自由化」掲載
「1974年頃： オイルショックによる不況により半導体は初めて市場規模が後退」掲載
「1975年： ソニーベータ方式VTR発売」掲載
■プロセス技術
「1990年代：枚葉化装置の量産導入」掲載
■議事録
「歴史館における著作権の取扱い会議録」掲載
「日本半導体歴史館8/26委員会のご報告とご了解のお願い」掲載
 ９月１７日 ■業界動向
「1965年： ムーアの法則がシリコンバレーから発表」掲載
「1968年：政府の産業育成策で超高性能電子計算機研究組合の設立」掲載
「1968年：Intel設立」掲載
「1969年：Intelは世界で初の半導体メモリーSRAM3101を発表」掲載
「1969年以降：電電公社は通信機応用LSIの開発を積極推進」掲載
「1969年： セイコーは世界初の電子式腕時計アストロンを発表」掲載
「1969年：シャープが電卓QT-8D発売」掲載
 ９月１６日 ■業界動向
「1953年-中頃：日本メーカ、ゲルマニウムトランジスタの生産開始」掲載
「1956年2月：米国西海岸に半導体研究所設立、シリコンバレースタート」掲載
「1958年：米国でICの開発、発明」掲載
「1959年：日本、ゲルマニウムトランジスタの生産で世界一」掲載
「1959年：米国でシリコントランジスタの商用化に成果」掲載
「1960年初頭： 日本は世界最大のトランジスタ生産国」掲載
「1965年以降：躍進する日本メーカは米国よりIC技術を導入する一方、独自で開発、量産を積極推進」掲載
 ９月１５日 ■集積回路
「URL変更」
「URL変更」に伴い、全ページのボタンリンクを更新
■業界動向
「アブストラクト」全面更新
「1947年12月：米国AT&Tベル研究所にて点接触型ゲルマニウムトランジスタ発明」掲載
 ９月１３日 ■個別半導体他
「1984年：ノン・ラッチ・アップIGBTの発明（東芝）」掲載
「1985年：U-MOSFET　発明　（松下）」掲載
「1987年：衛星TV受信向低雑音HEMT発売（富士通・ソニー）」掲載
「1995年：DVD向け650 nm帯AlGaInP系レーザー開発（松下、東芝、シャープ、ソニー）」掲載
「1997年：車載レーザーレーダー用高出力レーザーダイオード量産（デンソー）」掲載
「1997年：スーパージャンクションMOSFET発明（富士電機）」掲載
「2000年：4.5 kV, 1.5 kA IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)の開発（東芝）」掲載
「2003年：W-CDMA基地局用GaN HEMT開発（富士通）」掲載
「2003年3月：青紫色　高出力レーザー開発（三洋電機）」掲載
 ９月１１日 ■個別半導体他
「1974年：静電誘導トランジスタ（SIT）オーディオ増幅器　発売（ヤマハ）」掲載
「1974年：UHF帯AlゲートパワーMOSFET 開発（富士通）」掲載
「1975年：高出力GaAs　MESFET　市販開始（富士通）」掲載
「1981年：動的単一モードInGaAsP/InP DFBレーザー開発（NTT,　KDD）」掲載
 ９月１０日 ■プロセス技術
「1980年代後半：DRAMで立体セル構造を採用」掲載
■個別半導体他
「1968年4月：UHF帯メッシュエミッタトランジスタ発明（富士通）」掲載
「1969年9月：DSA MOS FET の発明（電総研）」掲載
 ９月９日 ■個別半導体他
「アブストラクト」全面更新
 ９月８日 ■応用製品
「2000年：DVD再生機能のある「プレイステーション2(PS2)」の発売（ソニー）」掲載
「2000年後半：電気自動車開発競争が激化」掲載
「2001年：Apple 社よりデジタルオーディオプレーヤi-Pod発売」掲載
「2001年11月18日：非接触ICカード(Suica等)の利用開始」全面修正
「2001年：W-CDMAモバイル各社より発売（NTTドコモ）」掲載
「2003年：世界初のブルーレイディスクレコーダーの発売（ソニー）」掲載
「2004年：デジタル一眼レフカメラの発売（オリンパス）」掲載
「2006年：高精細画質のプレステーション３(ＰＳ３)の発売（ソニー）」掲載
「2010年：新タイプのタブレット型コンピュータiPadの発売（Apple）」掲載
 ９月７日 ■応用製品
「1995年3月：デジタルカメラQV10の発売、大ヒット(カシオ)」全面修正
「1996年：DVDプレーヤの発売(ソニー)」掲載
「1997年：ハイブリッドカーの発売（トヨタ）」掲載
「1999年：世界初のDVDレコーダーの発売（パイオニア）」掲載
「1999年：iモードのサービス開始(NTTドコモ)」掲載
「1999年：ネットワークウオークマンの発売（ソニー）」掲載
 ９月６日 ■応用製品
「1990年：ファミコンの後継機種スーパーファミコンの発売（任天堂）」掲載
「1991年4月：ムーバ発売(NTT)、本格的携帯電話の市場投入」全面修正
「1992年：再生専用ポータブルMDプレーヤ「MDウォークマン」の発売(ソニー)」掲載
「1993年：世界初のプラズマディスプレイを商品化（富士通ゼネラル）」全面修正載
「1994年：ハイビジョンTV“HDトリニトロン”の発売（ソニー）」掲載
「1994年：家庭用ゲーム機プレイステーション（PlayStation）の発売（ソニー）」掲載
 ９月５日 ■全体
ドメインを変更
 ８月２９日 ■応用製品
「1985年：世界最小最軽量VHS-Cビデオムービー「GR-C7」の発売(日本ビクター)」掲載
「1985年1月8日：初代カムコーダーCCD-MV8の発売(ソニー)」全面修正
「1989年：パスポートサイズ8mmムービの発売(ソニー)」掲載
「1989年：携帯型ゲーム機「ゲームボーイ」の発売（任天堂）」掲載
 ８月２８日 ■応用製品
「1982年：世界初のCDプレーヤの発売（ソニー）」全面更新
「1982年：パソコンの国民機PC-9801の発売(NEC)」全面修正
「1982年：世界初の液晶TVの発売（エプソン）」全面修正
「1983年7月15日：家庭用ゲーム機ファミコンの発売（任天堂）」全面修正
「1984年：マイクロピエゾ方式プリンター「IP-130K」の発売（セイコーエプソン）」掲載
 ８月２７日 ■応用製品
「1973年：世界初の液晶電卓の発売（シャープ）」掲載
「1973年：電子腕時計「カシオトロン」を発売、増産へ（カシオ）」掲載
「1975年：カラーVTRが各社より、次々に発売(ソニー、日本ビクター)」掲載
「1975年：マイコンシステム開発のためのトレーニングキットのTK-80発売（NEC）」掲載
「1978年7月1日：携帯型ステレオカセットプレーヤー　ウォ―クマン、大ヒット(ソニー)」全面修正
「1978年：世界初の実用化CCDビデオカメラXC-1を商品化（ソニー）」掲載
 ８月２６日 ■応用製品
「アブストラクト」元に戻す
「1958年：トランジスタ式計算機の完成、実用化へ(NEC)」掲載
「1960年：トランジスタ式白黒テレビの発売(ソニー)」掲載
「1962年：5インチ型マイクロＴＶ発売、大ヒット(ソニー)」全面修正
「1964年3月：日本初の電子式卓上計算機の発売(シャープ)」全面修正
「1966年：世界初のIC電卓の開発に成功(シャープ)」掲載
「1967年：世界初のICラジオの発売(ソニー)」掲載
「1969年：世界初のLSI電卓（マイクロコンペットQT-8D）の発売(シャープ)」掲載
「1969年：業界初のオールトランジスタカラーＴＶの発売(日立)」掲載
「1969年：世界初の電子式腕時計（アストロン）の発表(セイコー)」全面修正
 ８月２５日 ■応用製品
「Abstract」全面修正
「日本初のトランジスタ式電子計算機を開発(電気試験所)」掲載
「1955年8月：日本初のトランジスタラジオ(TR-55)の発売(ソニー)」掲載
 ８月１８日 ■議事録
掲載
 ８月１１日 ■プロセス技術
「1960年代後半：CVD酸化膜を低雑音化プロセスに応用」修正
■議事録
掲載
 ８月１０日 ■プロセス技術
「1960年代後半：CVD酸化膜を低雑音化プロセスに応用」掲載
 ８月８日 ■プロセス技術
「1990年代後半：ダマシン法によるCu配線技術の採用」掲載
「1970年代後半：等方性プラズマエッチングの採用」掲載
 ８月７日 ■パッケージング
「1960年代：TO型パッケージング構造」全面更新
「1960年初頭：黎明期キャンタイプTRSの内部構造」掲載
「1965年頃：レジンモールドTRSパッケージの開発」掲載
■議事録
掲載
 ８月６日 ■パッケージング
「Abstract」更新
「1960年代：TO型パッケージング構造」掲載
 7月３１日 ■プロセス技術
「1980年代前半：微細化が進みリソグラフィはステッパに移行」更新
「1990年代後半：露光光源の短波長化（i線からエキシマレーザー光へ）」更新
■個別半導体他
一部更新
 7月２８日 ■パッケージング
「Abstract」アンダーバー取消
■全Abstract
ボタントラブル対処、再UPで戻る
■プロセス技術
「1980年代前半：微細化が進みリソグラフィはステッパに移行」更新
「1990年代後半：露光光源の短波長化（i線からエキシマレーザー光へ）」
と「Abstract」更新
 7月２７日 ■プロセス技術
「1990年代後半：CMP技術の採用」掲載
「2000年代後半：高速トランジスタにHigh-k／メタルゲートの採用」掲載
「2000年代後半：高速トランジスタにHigh-k／メタルゲートの採用」の
「Abstract」更新
 7月２６日 ■プロセス技術
「1980年代前半：微細化が進みリソグラフィはステッパに移行」掲載
 7月２２日 ■プロセス技術
「1970年代中頃：リソグラフィー技術がコンタクト露光方式からプロキシミティ
露光方式へ移行」バージョン更新
「1970年代後半：リソグラフィ分野でプロジェクション・アライナーが登場」
バージョン更新
■集積回路
「Abstract」アンダーバー取消
■議事録
掲載
 7月２０日 ■プロセス技術
「Abstract」アンダーバー取消
一部更新
■プロセス技術
「1970年代中頃：リソグラフィー技術がコンタクト露光方式からプロキシミティ
露光方式へ移行」掲載
「1970年代後半：リソグラフィ分野でプロジェクション・アライナーが登場」掲載
 7月1９日 ■応用製品
「1995年3月：デジタルカメラQV10の発売、大ヒット(カシオ)」掲載
「1962年：5インチ型マイクロＴＶ発売、大ヒット(ソニー)」掲載
■業界動向
「Abstract」アンダーバー取消
■プロセス技術
「2000年代前半：300mmウェーハへの移行」修正
 7月1６日 ■応用製品
「1982年：世界初の液晶ＴＶの発売（エプソン）」更新
「1985年：初代ハンディカムCCD-M8の発売(ソニー)」更新
「Abstract」更新
各詳細ページ「プロセス技術」→「応用製品」に訂正
「Abstract」アンダーバー取消
 7月1３日 ■プロセス技術
バージョン変更
 7月1２日 ■応用製品
「1993年：世界初のプラズマディスプレイを商品化（富士通ゼネラル）」掲載
「1995年3月：デジタルカメラQV10の発売、大ヒット(カシオ)」掲載
「2001年11月18日：非接触ICカード(Suica等)の利用開始」掲載
「1955年8月：日本初のトランジスタラジオ(TR-55)の発売(ソニー)」掲載
「1962年：5インチ型マイクロＴＶ発売、大ヒット(ソニー)」掲載
 7月11日 ■応用製品
一部更新
「1964年3月：日本初の電子式卓上計算機の発売(シャープ)」掲載
「1969年：世界初の電子式腕時計（アストロン）の発表(セイコー)」掲載
「1978年7月1日：携帯型ステレオカセットプレーヤー　ウｵ―クマン、
大ヒット(ソニー)」掲載
「1982年：パソコンの国民機PC-9801の発売(NEC)」掲載
「1982年：世界初の液晶ＴＶの発売（エプソン）」掲載
「1983年7月15日：家庭用ゲーム機ファミコンの発売（任天堂）」掲載
「1985年1月8日：初代カムコーダーCCD-V8の発売(ソニー)」掲載
「1991年4月：ムーバ発売(NTT)、本格的携帯電話の市場投入」掲載
 7月9日 ■パッケージング
一部更新
■業界動向
一部更新
■プロセス技術
「1975年頃：Al-Siスパッタ配線の採用」更新
「Abstract」更新
 7月2日 日本半導体歴史館（Ph.2）オープン(会員専用）
 7月2日 ■個別半導体他
一部更新
■パッケージング
一部更新
 7月1日 ■業界動向
一部更新
 6月30日 ■プロセス技術
「コンタクト方式リソグラフィ技術によるシリコンデバイスの製造」更新(2回)
■個別半導体他
「Abstract」更新
「日本で初めてゲルマニウムトランジスタが発売された」更新
「1.3μm帯半導体レーザーの開発（NEC、日立、富士通）」更新
「CD向けVSISレーザー商品化（シャープ）」更新
「世界初1310nm、10Gbps通信用量子ドットレーザー量産開始(QDLaser)」更新
■プロセス技術
「2000年代前半：300mmウェーハへの移行」掲載
「Abstract」更新
■業界動向
大幅修正(2回)
 6月29日 ■個別半導体他
「10Gbps面発光型半導体レーザー発売（富士ゼロックス）」更新
「HEMT（高移動度トランジスタ）の発明（富士通）」更新（２回）
「世界初　1310nm、10Gbps通信用量子ドットレーザー量産開始(QDLaser)」更新
「Abstract」更新
■プロセス技術
「Abstract」タイトル更新
「内製の装置によるゲルマニウムトランジスタの量産が始まる」更新
■パッケージング
一部更新
■応用製品
大幅更新
■プロセス技術
「高速トランジスタに歪シリコン技術採用」掲載
「解像度高度化技術」掲載
「コンタクト方式リソフラフィ技術によるシリコンデバイスの製造」掲載
「露光光源の短波長化（エキシマレーザー光へ）」掲載
「シャロージャンクション・シリサイドソース／ドレイン技術の使用」掲載
「露光装置の光源がArFエキシマレーザーに移行し、更にレンズの液浸化適用拡大」掲載
「Abstract」更新
 6月28日 ■プロセス技術
一部更新(２回)
■個別半導体他
一部更新(２回）
■パッケージング
一部更新(２回）
■個別半導体他
「世界初高輝度InGaN/GaN青色LEDの商品化（日亜化学）」掲載＆修正
「GaAs/AlGaAs　半導体レーザー市販（日立、三菱電機）」更新
■業界動向
一部更新（３回）
■応用製品
一部更新
 6月27日 ■個別半導体他
「10Gbps面発光型半導体レーザー発売（富士ゼロックス）」掲載
「GaAs/AlGaAs半導体レーザー市販（日立、三菱電機）」掲載
「HEMT（高移動度トランジスタ）の発明（富士通）」掲載
「CD向けVSISレーザー商品化（シャープ）」掲載
「100 lm/W白色LED サンプル出荷（日亜化学）」掲載
「世界初　1310nm、10Gbps通信用量子ドットレーザー量産開始(QDLaser)」掲載
「1.3μm帯半導体レーザーの開発（NEC,　日立、富士通）」
「Abstract」更新
■ようこそ
一部修正
 6月25日 ■パッケージング
一部更新
■個別半導体他
「日本で初めてゲルマニウムトランジスタが発売された」掲載
■個別半導体他
一部更新
■ようこそ
一部修正
 6月24日 ■プロセス技術
1950年代：一部更新
■プロセス技術
「内製の装置によるゲルマニウムトランジスタの量産が始まる」掲載
■個別半導体他
一部更新
■業界動向
一部更新
■応用製品
一部更新
 6月23日 ■プロセス技術
全面更新
■個別半導体他
一部更新
最終変更バージョン組み入れ
■集積回路
一部更新
最終変更バージョン組み入れ
■ようこそ
全面更新
 6月22日 ■パッケージング
全面改定
■パッケージング
一部修正
 6月21日 ■TOPページ
日本半導体歴史館タイトル追加
■応用製品
全面更新
 6月20日 ■業界動向
全面更新
 6月19日 ■黎明期の人々
工事中に変更
■個別半導体他
全面更新
■集積回路
全面更新
 6月17日 ■黎明期の人々
一部追加
 6月16日 ■黎明期の人々
会員版として掲載
 6月8日 １．ようこそ
２．業界動向
３．応用製品
４．集積回路
５．個別半導体他
６．プロセス技術
７．パッケージング
８．黎明期の人々
⇒１～８ボタン更新
 6月7日 １．議事録
４件追加
２．応用製品
全面更新
３．TOPページ
ボタン追加
４．集積回路
ボタン更新等
５．個別半導体他
ボタン更新等
６．プロセス技術
ボタン更新等
７．パッケージング
全面更新、ボタン更新
８．ようこそ
ボタン更新等
９．業界動向
ボタン更新等
１０．応用製品
ボタン更新等
１１．黎明期の人々
ボタン更新等
１２．更新記録
ボタン更新等
 6月5日 １．黎明期の人々
内容全面更新
２．デバイス
１）集積回路
全面更新
 6月4日 １．基盤技術
更新
１）プロセス技術
更新
２）パッケージング
更新
３）装置/材料
更新
２．黎明期の人々
更新
 6月3日 １．議事録
１件追加
２．業界動向
更新
３．応用製品
更新
４．デバイス
更新
１）集積回路
更新
２）個別半導体他
更新
 6月1日 １．議事録
８件追加
 5月30日 １．議事録
１件追加
 5月28日 １．ボタン設置
HOME
ようこそ
全体年表
業界動向
応用製品
デバイス
基盤技術
黎明期の人々
 5月26日 １．議事録
１６件追加
 5月22日 １．議事録
１件追加
 5月21日 １．議事録
３件追加
 5月8日 １．基盤技術
１）詳細年表修正
２）１９５０年代：プロセス１件追加＆リンク
装置＆材料１件追加＆リンク
３）プロセス技術
１９５０年代：１件追加＆リンク＆概要
１９５０年代（詳細）：１件追加＆年代リンク変更
４）装置及び材料
１９５０年代：１件追加＆リンク＆概要
１９５０年代（詳細）：１件追加＆年代リンク変更　　
 5月6日 １．基盤技術
１）詳細年表全面改定
２）詳細年表、パッケージ欄を掲載
 5月5日 １．業界動向
１）各リンク先全面修正
２）１９８０年代２件追加
３）１９９０年代２件追加
４）１９８０年代詳細内容２件制定
５）１９９０年代詳細内容２件制定
 5月4日 １．議事録
１０件追加
２．TOP（簡易版）
半導体業界動向→業界動向
半導体応用製品→応用製品
半導体デバイス→デバイス
半導体基盤技術→基盤技術
半導体関連会社→関連会社
 5月2日 １．Site Map
制定
２．議事録
２件追加
 4月23日 １．議事録
１）７件追加
２．黎明期の人々
１）仮制定
３．半導体基盤技術
１）詳細年表（パッケージング技術追加）
 4月21日 １．議事録
１）５件追加
２．半導体デバイス
１）詳細年表全面改定
 4月19日 １．半導体応用製品
１）オーディオ制定
２）コンピュータ制定
３）モバイル制定
４）デジタルコンシューマ制定
５）PC周辺制定
６）通信ネットワーク制定
７）自動車制定
２．半導体応用製品
7項目にリンク
３．半導体業界動向
全面更新
４．議事録
１）２件追加
 4月18日 １．半導体応用製品を制定
２．半導体応用製品／詳細年表を制定
 4月17日 １．議事録
１）１件追加
２．個別半導体
１）１９８０年代更新
２）「AlN低温バッファによるGaN成長」掲載
 4月15日 １．半導体デバイス/個別半導体追加更新
２．半導体デバイス/IC・LSIを制定
３．半導体デバイス/センサ/MEMSを制定
２．半導体デバイス/IC・LSI
１）1MDRAMの開発を制定
 4月14日 １．半導体デバイス
１）詳細年表、更新
２）１９４０～１９５０年代迄更新
３）１９６０～２０００年代迄制定
２．議事録
１）歴史館の「資料」のある個所を記載
 4月13日 １．議事録
１）「資料」追加
２．半導体デバイス
１）詳細年表制定
２）１９４０～１９５０年代更新
 4月12日 １．半導体基盤技術
１）１９９０年代に４件リンク
２．プロセス技術制定
１）HSG Poly CVD制定
２）ダマシン法制定
３）１９９０年代に上記２件リンク
３．装置及び材料制定
１）HSG-CVD制定
２）Cuめっき装置制定
３）１９９０年代に上記２件リンク
 4月11日 １．議事録
１）３件メール関連のやり取り掲載
２．関連リンク
１）２件追加
３．半導体基盤技術
１）プロセス技術、装置及び材料にリンク
４．プロセス技術制定
５．装置及び材料制定
 4月4日 １．半導体基盤技術
１９５０～２０００年代作成
年代の分かっているものから先に掲載
２．半導体基盤技術（詳細年表）
Ver5を掲載
 4月2日 １．議事録
１）７件メール関連のやり取り掲載
 3月29日 １．議事録
１）１２件メール関連のやり取り掲載
 3月27日 １．半導体業界動向
リンク制定、修正
２．半導体デバイス
１）1940年代-1960年代
３．個別半導体
１）1940年代-1950年代
２）詳細へリンク
４．点接触トランジスタの動作確認
１）制定
 3月22日 １．半導体業界動向
リンク制定、修正
２．TOPページ
半導体全体年表追加
３．半導体全体年表
制定
４．半導体デバイス
制定、作成1960年代
 3月21日 １．半導体業界動向
制定
 3月19日 １．議事録
Excel・Wordファイルを添付
メール貼り付け
3月18日 １．議事録
Excelファイルを添付
3月15日 １．日本半導体歴史館Ｐｈａse２記録から「議事録」に変更
２．簡易版を委員会用TOPページにする
３．簡易版のTOPページを修正
3月13日 １．日本半導体歴史館Ｐｈａse２記録
１）半導体歴史館編集委員会・議事録追加
3月10日 １．半導体デバイス
１）製品を３つに変更
3月9日 １．Encore
１）NOSIDE
No.33～59作成
3月8日 １．Encore（巻頭言）
更新
２．Encore
１）講演会
No.6～47作成及び修正
3月7日 １．原稿例（辞典）
変更・更新
２．関連リンク
追加・更新
2月19日 １．半導体を横串でみる（イメージ）
作成
２．日本半導体歴史館TOPページ（イメージ）
作成
３．原稿作成要綱
１）執筆要領更新
２）執筆要領から個別原稿執筆要領に変更
４．原稿フォーム（年表）
更新
５．原稿フォーム（辞典）
更新
６．原稿例（年表）
更新
７．原稿例（辞典）
2月13日 １．ようこそ
ご挨拶作成
２．原稿作成要領
作成
３．原稿フォーム
作成
４．原稿例（年表）
作成
５．原稿例（辞典）
作成
2月6日 １．Encore
１）講演会
No.50～61作成及び修正
1月31日 １．Encore
１）巻頭言
No.30～6作成及び修正
２）研修会→講演会に変更
1月28日 １．関連リンク集
電気のデジタル博物館掲載
２．Encore
１）巻頭言
No.58～32作成及び修正
1月26日 １．半導体デバイス
フォーマット完了
１）個別半導体、光デバイス、マイクロ波デバイス、
センサー/アクチュエータ、IC（集積回路）、ハイブリッドIC
各ページのフォーマット作成
２．Encore
フォーマット作成
１）巻頭言
No.63～57作成及び修正
1月25日 １．日本半導体歴史館（簡易版）UP
1月24日 １．半導体業界動向TOPページ
概要作成
２．半導体応用製品TOPページ
概要作成
３．参考書・サイト製作
1月23日 １．ようこそ
フォーマット完了
２．半導体業界動向
フォーマット完了
１）1930年代～2010年代
フォーマット作成
３．半導体応用製品
フォーマット完了
１）1930年代～2010年代
フォーマット作成
1月22日 １．各項目のＴＯＰページ製作
２．関連リンク集
半導体の歴史館
コンピュータ博物館
The Silicon Engine
21世紀IT社会を拓く
半導体ミニ時典
　　ようこそ、半導体業界動向、半導体応用製品、半導体デバイス
　　半導体基盤技術、黎明期の人々、半導体関連会社、関連リンク
　　Ｅｎｃｏｒｅ、ＳｉｔｅＭａｐ、更新記録のＴＯＰページ
２．関連リンク更新
1月21日 １．日本半導体歴史館（簡易版）製作開始
　　ＴＯＰページ他

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