1947年12月米国ベル研究所(BTL：Bell Telephone Laboratories)で、点接触型の トランジスタが発明され、さらに1949年4月には同研究所でゲルマニウム合金型 トランジスタが、続いて1951年に成長接合型トランジスタが開発され、その後の 半導体発展の礎となった。
