1965年頃 ＭＯＳトランジスタの誕生 〜パッケージング〜

日立製作所は1965年頃、MOS型トランジスタにおいてシリコン基板の結晶軸＜１００＞の面にチャンネル層を形成することで、動作が安定することを見出し、キャン型パッケージに組立し市場投入された。MOSFETの形成を＜１００＞結晶上に形成する構造は、その後MOS系IC/LSIの主体的な氏離婚基板材料になった。

【参考文献】 日立評論1965年8月　第47巻第8号　第49巻第3号 　大野稔、鈴木茂、桃井敏光、大橋伸一、久保征治「ＭＯＳトランジスタの開発」 詳細はこちら↓ http://www.hitachihyoron.com/jp/pdf/1965/08/1965_08_11.pdf 【移動ページ】 　. 【最終変更バージョン】 2015/6/5