集積回路1960年代

IC時代

日本では1960年初めにICの実用化に向けた試作が始まったが、後半になるとラジオ用ICや電卓用ICなどの実際の製品が量産されるようになった。ラジオ用はバイポーラIC、電卓用はMOSICである。TTLの登場や電卓用MOSICの発展は、このあと長期にわたり継続的に進むデジタル化のスタートとなる出来事であった。

1960年代初国産ICのスタート

1960年代になると日本でも電気試験所の垂井などによる試作をはじめとして、各社でICの実用化に向けた試みが始まったが、特に三菱電機のモレクトロンが有名である。これはWestinghouseのサンプルを参考にして試作、量産したものである。

1961年RTLの登場 (米国Fairchild)

NoyceがプレーナICを発明したフェアチャイルドは、RTL(Resistor Transistor Logic)μL900ファミリーを開発した。代表的な製品であるμL914は、抵抗とトランジスタで構成された2入力NORを2つ搭載したICであった。RTLはMotorolaなどのメーカからも発売された。RTLはアポロ計画のコンピュータに使用された。

RTLの次に、高速でレイアウト面積の小さいDTL(Diode Transistor Logic)が開発された。1962年にSignetics がDTLを発売し、1963年にはFairchildやWestinghouseが続き、 Ferranti (英国)も同時期にDTLを製品化した。また、IBMはDTLで論理を組んだコンピュータ1401を開発した。RTLやDTLはこのあと現れたTTLに置き換えられていった。

1962年ECL論理のIC MECL Iの発売　(米国　Motorola)

超高速論理素子であるECL(Emitter Coupled Logic)回路は1956年、IBMのHannon S.Yourkeが発明した。このときはまだICではなかった。ECL回路は当時のスーパーコンピュータともいえるIBM 7030 Stretchに使用された。1962年、MotorolaはECL論理のICであるMECL Iを発売した。

1960年代中期TTLの登場 (米国TI 他)

TTL(Transistor Transistor Logic)は1961年にTRWのJames L. Buieによって発明された。そのあと1963年にSylvaniaが製品を市販するなど各社から製品が販売されたが、 TIの「5400/7400シリーズ」がデファクト・スタンダードとなり、多くの派生品を生んだ。

1960年代中期電卓用ICの量産開始

当初の電卓はトランジスタを用いていたが、1960年代半ばにMOS-ICに移行し、電卓により最初の本格的なMOS-ICの需要がもたらされた。初期には1台の電卓に数十個のICが使用されていたが、急速に集積化が進んでやがて数個になり、1970年代初めにはワンチップになった。

1965年ムーアの法則の提唱(Gordon E. Moore)

Intelの創設者の一人であるGordon E. Moore(当時はFairchild社勤務)が、Electronics Magazine 誌1965年4月19日号に『半導体素子に集積されるトランジスタ数が1965年まで、 1年に2倍の割合で増加した事実から、1975年には65,000個の素子が集積されるだろう』という予測を発表した。その後、増加の係数は18ヶ月～24ヶ月に2倍と変化したが、チップに集積されるトランジスタ数が一定の期間で倍増するというムーアの法則は、以後40年にわたり半導体の技術開発や経営の基本指針となった。

1968年CMOS汎用ロジックICの登場　(米国　RCA)

1968年、RCAがCMOS汎用ロジックIC 4000シリーズを発売した。CMOS汎用ロジックは、TTLより低速だったが、消費電力が小さく動作電源範囲が広かった。当初、TTLと互換性がなかったが、 TIのTTL 7400シリーズと互換の製品が登場して普及した。

1969年電卓用PMOS LSIの生産開始　(米国North American Rockwell)

早川電機(現シャープ)が1969年に開発したLSI化電卓マイクロコンペツトQT-8Dには、North American Rockwell社のLSIが使用された。当時の最新技術を使用したLSI 4個で構成されたQT-8Dは10万円を切る価格で販売され、市場を席巻した。これを契機に日本メーカは電卓用ICのLSI化に積極的に取り組んだ。

1960年代後半民生用アナログICの製品化

ICの発達とともに民生機器への半導体の応用は広がっていった。高周波特性の改善、大出力化が進み、応用機器ごとに機能を最適化したICが開発されていった。

1960年代後半MOSメモリの萌芽

半導体メモリはバイポーラSRAMから始まったが、やや遅れてMOS-SRAMの開発が進んだ。NECは1968年に144ビットのNMOS SRAMを開発し、それを電電公社向けの大型コンピュータに搭載した。一方、DRAMに関しては、IBMのRobert H. Dennardが1トランジスタのメモリセルを発明し、1968年に特許を出願した。 1968年に設立されたIntelは3トランジスタからなるセルを用いたDRAMの構想を練り、実現を目指した。一方、DRAMに関しては、IBMのRobert H. Dennardが 1トランジスタのメモリセルを発明し、1968年に特許を出願した。1968年に設立されたIntelは3トランジスタからなるセルを用いたDRAMの構想を練り、実現を目指し