1960年頃 トランジスタ用キャンタイプパッケージ 〜パッケージング〜

1960年頃の黎明期のトランジスタ用パッケージ技術は米国より技術導入され、ゲルマニウム（Ge)トランジスタ素子をタブに半田付けし、トランジスタ素子の表面にリードピンを低融点のインジウム（In)はんだ材料付けする構造であり、はんだ付け後には素子信頼性向上のために鉛丹レジンをコーティングしていた。 リードピン接合後には、錫めっきキャツプ（Ne-Ni）をステムに錫ー錫接続法により勘合封止する構造で、キャンタイプトランジスタなどと呼ばれていた。 この構造のトランジスタは携帯型の小型トランジスタラジオなどに使われ、真空管ラジオに換わり、日本半導体産業の発展の基礎となった構造であった。

【参考文献】 　蝉の輪会ＨＰ「日立半導体歴史館」 　http://www.seminowa.org/seminowa_archive2014/museum/muse_01.pdf 【移動ページ】 　. 【最終変更バージョン】 2010/12/9