黎明期の人々

垂井康夫
(たるいやすお)


1929年(昭和 4年)生
1951年(昭和26年)早稲田大学第一理工学部電気工学科卒
              工業技術院電気試験所入所
1965年(昭和40年)電気試験所半導体部品研究室長
1976年(昭和51年)超LSI技術研究組合共同研究所所長
1981年(昭和56年)東京農工大学電子工学科教授
1993年(平成5年)早稲田大学大学院客員教授
1995年(平成7年)紫綬褒章受賞
2001年(平成13年)武田計測先端知財団常任理事

垂井康夫は黎明期からトランジスタ研究に参画するが、力を発揮するのはIC、LSI、超LSIなどの集積回路であり、集積技術そのものの先導者である。1961年1月21日に日本で最初のICを完成させ、その後、「超高性能電子計算機」プロジェクトに参画。1968年に電子ビーム露光装置、翌年にショットキTTL、更にその翌年にはDSAMOSトランジスタを発案し、世界で最初に発表する。このプロジェクトを通してNMOSトランジスタを用いた144ビットSRAMを日本電気に委託、ハイブリッドLSIを日立に委託し完成させている。1976年発足の「超LSI技術研究組合共同研究所」では所長を務め、4年の開発期間で超LSIプロセス基盤技術を確立し、サブミクロンプロセスへの道を開くことにより、その後の日本半導体産業の隆盛を確実なものとする。

1953年電子通信学会早稲田賞、1970年同会業績賞、1978年同会論文賞、1977年全国発明表彰経団連会長発明賞、1990年SSDM(固体素子・材料)アワード、1991年C&C賞、1995年紫綬褒章などを受章。主な著書『半導体デバイス』、『ICの話』。


【参考文献】


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【最終変更バージョン】
ver000 2010/10/25

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