黎明期の人々

柳井久義 （やないひさよし）

１９２０年（大正　９年）生 １９４２年（昭和１７年）東京帝国大学第一工学部電化工学科卒、同学科講師任官 １９４７年（昭和２２年）東京大学助教授任官 １９５３年（昭和２８年）東京大学博士学位取得 １９６０年（昭和３５年）東京大学教授任官 １９７７年（昭和５２年）米国電気電子学会からフェロー称号授与 １９８０年（昭和５５年）国際ガリウムひ素シンポジウム賞、 　　　　　　　　　　　　ハインリッヒ・ウエルカー・メダル受賞 １９８１年（昭和５６年）東京大学教授定年退官、芝浦工業大学教授就任 １９８５年（昭和６０年）ドイツ連邦共和国功労勲章受賞、大功労十字賞受賞 １９８６年（昭和６１年）藍綬褒章受賞、芝浦工業大学校長 １９９１年（平成　３年）芝浦工業大学名誉教授 １９９４年（平成　６年）勲３等旭日中綬章受章 柳井久義のトランジスタの研究着手は東京大学の教授任官の昭和３５年以降で、その出会いは必ずしも早いものではない。その当時のトランジスタ技術はまだ揺籃期にあり、その中で今日の半導体電子工学と言われる新しい学問分野を開拓、研究。多くの学生に半導体電子工学の教育をし産官学の間の共同研究を推進することで大きな功績を残している。 最初に着手したバイポーラトランジスタの解析的な特性表示研究ではベース領域内部電界が任意の大きさの場合のアドミタンスパラメータ表現に成功。動作理論の確立に需要な役割を果たし、多くの教科書に引用される。その後、半導体電子工学の研究は多岐に渡り、マイクロ領域、後には超高周波用半導体デバイスを中心に展開。半導体材料もゲルマニウム、シリコンからガリウムひ素の化合物半導体に至り、ショットキーゲート電界効果トランジスタとガン効果素子のデジタルデバイスとしての研究は国際的に大きな評価を得る。

【参考文献】 【移動ページ】 黎明期の人々/該当年代へ 【最終変更バージョン】 ver000 2010/11/7

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