黎明期の人々

長船広衛 （おさふねひろえ）

１９１７年（大正　６年）生（岡山県） １９４１年（昭和１６年）　東京帝国大学工学部卒業 １９４２年（昭和１７年）　日本電気（ＮＥＣ）入社、研究所配属 １９６４年（昭和３９年）　半導体工場技術部長 １９６７年（昭和４２年）　支配人、半導体事業部長 １９７９年（昭和５４年）　定年退職。その後、ＮＥＣエレクトロニクス会長、山口日本 　　　　　　　　　　　　　　 電気会長などを歴任。 わが国の半導体研究の草分け的な人物の一人で、ＮＥＣの半導体事業の立ち上げに大きく寄与した。長船広衛は１９４１年にＮＥＣに入社以来、研究所を拠点にブラウン管用蛍光体の研究に従事していたが、第２次大戦終結後、ベル研究所でトランジスタが発明されるや、半導体の研究にいち早く着手、社内のマイクロ波グループの要請もあって１９５０年にはシリコンによるマイクロ波ダイオードの試作に成功、翌５１年には少量生産に着手している。 トランジスタの開発はこれより遅れたが、文部省から「点接触トランジスタの試作研究」で補助金を受け、ゲルマニウム単結晶の作製から素子化を１９５３年に完了、５５年までに高・低周波接合型およびパワートランジスタを試作している。 シリコントランジスタの主流となるメサ型およびエピタキシャルプレーナ型の製品化でも手腕を発揮、この実績を踏まえて１９６２年にはAND、NOR、フリップフロップなどのバイポーラ半導体ＩＣ約１０品種を開発している。 ＮＥＣが米フェアチャイルド社のプレーナ特許の国内専用実施権を長船広衛の尽力で獲得したことは今も語り草になっている。

【参考文献】 【移動ページ】 黎明期の人々/該当年代へ 【最終変更バージョン】 ver000 2010/12/1

↑TOPへ