1980年代前半 微細化が進みリソグラフィはステッパに移行 〜プロセス技術〜

1980年代になり最小パターン寸法が2μmになり更に1μmへと縮小されていくにつれて、ステッパが量産に使われるようになってきた。ニコンが1980年に初の商用ステッパNSR-1010Gを発売、キヤノンも1984年に商用ステッパFPA-1500FAを発売し、先行のGCA社の性能を凌駕して行った。その後1995年頃に至るまで、ニコンとキヤノンで半導体露光装置シェアの70〜80％を占める時代が続いたが、その背景には、富士通・東芝・日立・NECをはじめとしたわが国半導体デバイスメーカがDRAM市場を席巻し、半導体製造装置メーカを牽引していったという要因がある。 露光されるパターンの微細化は、露光光の短波長化とレンズの高NA化（NAとは開口数のことで、レンズの口径の大きさと理解してよい）によって実現される（詳細は1990年代：露光光源の短波長化（i 線からエキシマレーザー光へ）参照）。1980年代の露光波長は超高圧水銀ランプから発するg-線（波長436nm）であったが、1990年代には最小寸法が0.8μmから0.5μmに移行するにつれてi-線（波長365nm）に変わっていった。 また、フォトレジストメーカのほとんどは日本国内にあり、各社で微細パターン形成に耐えるフォトレジストの開発が進み、東京応化、ＪＳＲ、住友化学など多くの日本メーカが世界にレジストを供給していった。

国産初の商用ステッパ　ニコンNSR-1010G　(1)

【参考文献】 1)　（株）ニコンの企業年表 http://www.nikon.co.jp/channel/recollections/24/index.htm 【移動ページ】 プロセス技術/該当年代へ 【最終変更バージョン】 rev.003 2015/7/6