2000年代前半 300mmウェーハへの移行 〜プロセス技術〜

2000年代前半、先端デバイス量産ラインにおいて従来の8インチウェーハから面積が2.25倍の300mmウェーハへの移行が行われた。同時に、世界標準として12インチから300mmと言うmm規格への移行も行われた。（以降8インチウェーハも200mmウェーハとなった。） 300mm化の主たる目的は、1チップ当たりの単価低減で200mm装置との比較において装置メーカへも“同等のウェーハ処理スピード”と“装置価格上昇の抑制”が要求された。同時に高性能化も必要とされた為、移行にはそれなりの時間を要した。 世界で初めて300 mmウェーハでデバイスを量産した半導体工場はトレセンティテクノロジーズ（茨城県ひたちなか市）であり、日立とUMCの合弁会社として2000年3月に設立され、2001年3月から量産を開始した。そこでは枚葉式生産方式の採用によって短TATを実現し、0.13μmの最先端プロセス技術を導入しシステムLSIに活路を求めた。 一方、2001年4月にはSeleteを含めたあすかプロジェクトが発足し、300mm量産ライン構築の手助けとなるべく筑波のスーパークリーンルームにて研究開発を推進した。 その後、次々と300mm工場が作られ、2005年までには東芝（Flash/四日市・システムLSI/大分）、富士通（システムLSI/三重）、エルピーダ（DRAM/広島）、NEC（システムLSI/山形）とそろい踏みした。 装置技術としては8インチ時代のオープンカセット＋AGV搬送からFOUP（封止型ボックス）によるウェーハ搬送への対応に大きくシフトした。 また、大口径化に必要なプロセス技術の向上、微細化に必要なパーティクル低減などが進められ、洗浄など枚葉式への転換も色々と提案された。 反面、メモリー量産ラインでは引き続きバッチ式縦型炉などの需要が強くメモリーとシステムLSIのニーズに相違が生じたのもこの時期である。

【参考文献】 300mmウエファーのCMP技術　Selete　近藤誠一 【移動ページ】 プロセス技術/該当年代へ 【最終変更バージョン】 rev.000 2010/10/26