1975年 高出力GaAs　MESFET　市販開始（富士通） 〜個別半導体・他〜

マイクロ波帯高出力GaAs MESFETの開発は1973年頃から始まった。 富士通の福田らは、櫛形構造のソース・ゲート電極を伝送線路としてとらえ、ゲート幅の最適値を決定するFETパターンで設計法、Au-Ge合金による低抵抗ソース/ドレインオーミック電極形成法、シートグラウンデイング法と称する寄生効果素子の介在しないソース接地が可能なFETアセンブリ（パケージ）を開発し、周波数10GHzで１W以上の出力の得られる高出力GaAs MESFETを開発し、世界で初めてこれを商品化した。 マイクロ波高出力トランジスタはSiバイポーラトランジスタか、GaAs MESFETか、この当時の学界ではホットな論争になっていたが、GaAs MESFETが一歩リードした。 この高出力MESFETの開発により、C, Xバンドのマイクロ波中継装置に従来使用されていた進行波管（TWT）をリプレイスし、世界初全固体マイクロ波中継装置が実現した。 http://www.fujitsu.com/jp/about/plus/museum/products/communication/radio/10series.html

高出力GaAs MESFETの断面構造概略図

高出力GaAs MESFETの電極パターン写真(3)

高出力GaAs　MESFETのチップ写真(3)

チップをマウントした写真(3) シートグラウンディングと呼ばれるソース接地方法が使われている。

【参考文献】 （1）L.S. Napoli et al., “High-power　GaAs FET amplifier- A multi-gate structure” IEEE ISSCC Digest of Tech. Papers, pp.82-83, (1973) (2) M. Fukuta et al., “Mesh source type microwave power FET” IEEE ISSCC Digest of Tech. Papers, pp.84-85, (1973) (3)M. Fukuta, K. Suyama, H. Suzuki, & H. Ishikawa, “GaAs Microwave Power FET” IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-23, pp. 388-394 (1976) (4) N. Yokoyama, S. Ohkawa, & H. Ishikawa, “Effects of the heating rate in alloying of Au-Ge to n-type GaAs on the ohmic properties” Japan. J. Appl. Phys. vol. 14, pp. 1071-1072 (1975) 【移動ページ】 個別半導体他/該当年代へ 【最終変更バージョン】 rev.002 2015/7/6