1968年4月 UHF帯メッシュエミッタトランジスタ発明（富士通） 〜個別半導体・他〜

バイポーラトランジスタを高周波大電流密度で動作させると、ベース電極に近いエミッタ周辺部に電流が集中し、エミッタ周辺部だけがトランジスタ動作をするようになる。（ベース遮断と呼ぶ）このため、コレクタ面積内にできるだけ大きなエミッタ周囲長をとることが望ましい．富士通の福田はエミッタ拡散層領域を格子状に配置するメッシュ・エミッタ・トランジスタ（MET）を考案し、1GHzで出力30Wの高出力トランジスタを開発、商品化した。 1964年の東京オリンピックを契機にTVが全国的に普及した。TV難視聴地域解消にUHFサテライト装置が全国的に設置されたが、トランジスタ方式全固体化UHF10Wテレビサテライト装置に採用された。（定格10W、飽和出力30W） 1973年発表の論文をみると、この年までに約1万個のMETが装置に組み込まれたとあり、当時のこの分野の規模が想像できる。 　メッシュ・エミッタ・トランジスタはその後さらに開発が進み、1983年には900MHZで出力100Wの能力を持つトランジスタが開発された。

図１メッシュエミッタトランジスタの断面略図(3)

図２メッシュエミッタトランジスタの入出力特性(3)

【参考文献】 １）福田益美：“半導体装置”特許603669号 ２）M. Fukuta, H. Kisaki, and S. Maekawa、“Mesh emitter transistor” Proc. IEEE, 56, P. 742 (April 1968) ３） 福田益美、古本昭、“高信頼メッシュエミッタトランジスタの開発”電子通信学会論文誌、56-C, pp.261-268, (1973年5月) ４）K. Ishii, H. Yamawaki, S. Kashiwagi, & E. Yamashita, “A 900 MHz 100W CW Mesh Emitter Type Transistor with P.H.S. Structure” IEDM Digest of Tech. Papers, pp.225-227, (Dec. 1983) 【移動ページ】 個別半導体他/該当年代へ 【最終変更バージョン】 rev.001 2010/10/09