1963年 CMOS発明（Fairchild） 〜個別半導体・他〜

Fairchild のF.M. Wanlassは、CMOSの基本概念（インバータ、NORゲート、SR-FFなど）を、1963 IEEE ISSCCで、C.T. Sahと共同で発表し、特許化した。（US特許　3356858） 当時の技術では、エンハンスメント型NMOSFETは製作出来ず、バイアスをかけたデプレッション型NMOSFETとPMOSFETの個別FETによる回路動作確認であったが、すでにモノリシック集積の構想を示し、高密度集積化に適していることを予見した。

図１　世界初、CMOSリングオッシレータの回路図と発振波形（１）

図２　US特許　3356858　の明細書に記載されているp-well CMOSの構造図（２） 　　　（NMOSのゲートがオフセットしているのは図のあやまり？）

【参考文献】 (1)　F.M. Wanlass and C.T. Sah, “Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes", pp.32-33, IEEE ISSCC　Digest of Tech. Papers, (Feb. 1963) (2)　US特許　3356858、”Low stand-by power complementary field effect circuitry”

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【最終変更バージョン】 rev.000 2010/10/10