1959年 プレーナ技術 発明（Fairchild） 〜個別半導体・他〜

1957年にTexas Instrumentsが発明した2重拡散メサ型トランジスタがこの当時の主流であったが、ウエハ全面にベース拡散層を形成後に台形にエッチングするため、接合が表面に露出し、リーク電流の発生など動作不安定を引き起こしていた。 FairchildのHoerniは、不純物拡散に使用したシリコン酸化膜を除去しないで活用することを考案した。（US特許　3025589）　 ちょうどこの頃、Kodakでフォトレジストが開発されて微細加工が可能になり、今日のLSIにつながる技術が確立した。

図１、US 特許　3025580　の明細書図面(1) Fig. 1-3はダイオードの製作プロセス、Fig.　5-10はトランジスタの製作プロセスを説明している。 シリコン基板（32）の表面に形成したシリコン酸化膜(31)に拡散窓を開けてベース拡散層(36)を形成後、再酸化でシリコン酸化膜(38)を形成、拡散窓を開けてエミッタ拡散層（39）を形成する。その後酸化膜に窓を開けて、エミッタ、ベース、コレクタ電極(44),(46),(47)を接続する。

図２　プレーナトランジスタの写真(2) 中央の白い円がエミッタ電極、その外側の白いリングがベース電極

【参考文献】 (1)　US特許　3025589　 (2)　The most efficient way to make transistors ?The planar process http://smithsonianchips.si.edu/augarten/i8.htm

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【最終変更バージョン】 rev.001 2015/7/6