2001年
300mmウェーハプロセスのスタート
〜装置・材料〜
1960年頃に0.75インチ(約20o)口径のSiウェーハが供給されるようになってから、ムーアの法則に従って集積度を増加させた数隻回路の生産にはウェーハの大口径化が要求され、2001年には300oSiウェーハによるULSI生産が開始された(図1)[1]。 1990年代後半から300oSiウェーハおよびこれを用いる半導体製造装置の国際標準化活動が進められ[2]、1990年代末には300oウェーハ対応の半導体製造装置・材料のサプライチェーンが隔離されていた。以後、加工レベル90nm以下のULSIはほとんど300oウェーハによって生産されるようになった。
ただ、パワー半導体、MEMS、センサや加工レベル110nm以上のVLSIなどの生産には8インチ(200o)ウェーハが引き続き使用された。従来の大口径化は前世代のウェーハから大口径ウェーハへ徐々に変わってゆく移行であったが、300mmウェーハへの大口径化では8インチウェーハによる半導体生産ラインも並行して増え続けている(2020年時点)。
【参考文献】
[1]2000年代前半:300mmウェーハへの移行
[2]1990年代後半:300o標準化活動
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[最終変更バージョン]
Ver.001 2020/12/25