1960年代後半
プラズマアッシャー
〜装置・材料／エッチ・洗浄・研磨〜
フォトレジストの剥離には液体の有機剥離溶剤(J100)が使われていた。1967年、SigneticsのStephan Irvingはフォトレジストを酸素プラズマで乾式灰化して除去する方法を発表した[1]。 同年、LFEはこの方法を装置化(プラズマアッシャー)した。半導体製造工程でプラズマが使われた最初である。国内では1971年に東京応化から発売された(OPM)。
[参考文献]
[1] Plasma
etching: Yesterday, today, and tomorrow
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