|
||||||||||
2014年 屋外大型表示装置用 高輝度発光ダイオード(LED)の開発 (スタンレー、東芝、日亜化学) ~個別半導体・他~ |
||||||||||
1907年にH.J. Roundが、SiC結晶に電圧を印加したとき発光することを発見したのが、発光ダイオード(LED)の起源と考えられている。しかし、1962年に「LEDの父」と呼ばれているN. Holonyak Jr. が、GaAsP赤色LEDの開発に成功したのが、本格的なLEDの始まりと言われている(1)。当時の液相成長法による結晶は欠陥が多く、発光効率は0.01%と実用化にはほど遠かった。 1969年に西澤潤一らが蒸気圧制御温度差法を発明し、高品質の化合物半導体結晶が得られるようになり、高輝度赤色および緑色LEDが実現した(2)。スタンレー電気は、1976年に輝度60mcdのGaAs赤色LED、1979年に輝度80mcdのGaP緑色LEDを商品化した。電卓など各種機器のインジケータにLEDが使用され始めた。 1980年代に入って、GaP系で輝度100mcdの緑色LEDが、GaAsP系、GaAlAs系で輝度1cdを超える赤色LEDができるようになり、屋外の情報表示板や交通信号機、車載用ハイマウント・ストップ・ランプなどに使用されるようになった(3)。 1968年にH.M. Monasevitが発明した有機金属化合物を用いるMOCVD法(4)により、組成や厚さを精密に制御した良質の三元、四元化合物半導体の結晶成長が可能になり、複雑な構造のLEDが開発された。InGaAlPは、結晶の組成比を最適に選ぶことで、格子定数がGaAs基板の格子定数と一致した状態で、赤色から緑色までの発光が可能になる。1991年に東芝は、InGaAlP高輝度LEDのMOCVD法による量産を開始、輝度5cdの赤色LED, 輝度2cdの緑色LEDを商品化した(5)。図1に示すように、ダブルヘテロ(DH)構造の発光領域にくわえて、屈折率が異なる2種類の材料を光の波長の1/4の厚さで数層積層して反射効果を持たせるブラッグ反射層を設け、基板側に放射される光を上部に反射させ、さらにチップ全面が発光するように電流拡散層と電流阻止層が設けられている。 1993年に日亜化学が、1cdを超える高輝度のInGaN青色LEDを開発し、量産を開始した(6)。 これにより、昼間野外での表示に要求される5000cd/m2以上の輝度を実現できる、フルカラー表示に必要な光3原色(赤、緑、青:RGB)のLEDがすべて出そろい、1995年頃から大型フルカラーLEDディスプレイがスタジアムのスコアボードなどに広く使われるようになった(7)。 図2に、LEDの性能向上の歴史を示す。 |
||||||||||
図1 InGaAlPダブルヘテロ構造LEDの断面図
|
||||||||||
図2 LED発展の歴史概略 |
||||||||||
【参考文献】
【移動ページ】 個別半導体他/該当年代へ 【最終変更バージョン】 rev.001 2021/10/27 |