SiCウエハの作製には二千数百℃の昇華法によるバルク結晶成長が必要である。技術的な困難さのためSiCウエハの作製はSiと比較し遅れていたが、1990年代の後半に口径2インチのウエハの入手が可能となり、デバイス開発が活発化した。SiCウエハの品質については、当初問題となっていた大型螺旋転位などのデバイスキラー欠陥の低減、また、エピタキシャル成長層の欠陥の低減も着実に進んでいる。

図1に3.3kV SiC-MOSFETのMOSセル部の断面構造を示す。裏面のドレイン電極から表面のソース電極に電流を流す縦型のプレーナMOSFETである。p型ウエル領域とn型ドリフト層の間に形成されるpn接合により高電圧を保持する。SiC基板にはパワーデバイスに適した4H型ポリタイプを用い、n型ドリフト層をエピタキシャル成長させた。高耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化には接合トランジスタ領域（JFET領域）の抵抗低減が有効であり、JFET領域の幅、ドーピング濃度の最適設計を行った。Siと比較しSiCのMOS界面には電子捕獲準位が多く存在し、MOSチャネルの抵抗低減を妨げている。MOSチャネル部のドーピングプロファイル設計、ゲート酸化膜の高温処理などにより電子捕獲準位の影響を軽減し、MOSチャネルの低抵抗化、および、しきい値電圧の安定化を実現した。

三菱電機は3.3kV SiC-MOSFET、SiC-SBDを搭載した3.3kV/1.5kAフルSiCパワーモジュールの開発に成功した。2014年に3.3kV/1.5kAフルSiCパワーモジュールを搭載した鉄道車両用インバーター（図2）を製品化し、2015年に営業運転における大幅な省エネ効果を実証した。