日本半導体イノベーション５０選　　（Ｔ-１　１９６０年代）

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ＭＯＳ表面安定化の研究と<100>面のデファクト化

1963年、日立の大野らはMOS表面の安定性を研究するなか、電圧印加中の加熱処理により酸化膜中の可動イオンの制御について発見し、特許化した。これは翌年IBMのKerrによってB-T処理として発表されこの名前が一般化した。大野らはこの研究をさらに深化させることで、シリコンの表面準位の結晶方位依存性を明確にし特許化（いわゆる<100>特許）。MOSデバイスの実用化の重要なステップを築いた。

特許明細書に掲載されたMOSFETの特性比較
(特許公報　昭42−21446　より）

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■日本半導体歴史館　対象展示室

■特許公報　特公昭41-3418
「半導体装置の製造方法」（PDF）

■特許公報　特公昭42-21446「半導体装置」(PDF)

■SEMI NEWS 2008年9-10月号P24〜25 (PDF)　「開発秘話：シリコンメサトランジスタから（100）結晶面特許へ」参照