日本半導体イノベーション５０選 （Ｄ-１５ １９９０年代）
スーパージャンクションＭＯＳ ＦＥＴの発明
1997年に富士電機は、電力用MOSFETのドリフト層にスーパージャンクション（SJ）構造を採用するMOSFET（SJ-MOSFET）が、MOSFETのオン抵抗低減にブレークスルーをもたらすことを実証した。オフ状態での高耐圧を確保しながら、オン抵抗を従来型に比べて1/100以下にすることができる。この構造は、低損失化が特に必要な低中耐圧（〜600Ｖ）電力用MOSFETの主要な構造になり、スイッチング電源や、高速モーター、インバータ制御機器で広く使われ、今日のパワーMOSFET発展の基盤となった。
| 断面構造図 |
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| （富士時報, Vol.82, pp. 389〜392より） |