日本半導体イノベーション５０選　　（Ｄ-１３　１９９０年代）

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1976年の東工大・NTTによるInGaAsP/InP系レーザー室温連続動作の世界に先駆けての成功を契機に、NEC、富士通、日立他日本メーカーは、位相シフト分布反射（DBR）型レーザー、ひずみ量子井戸分布帰還（DFB-MQW DFB）型レーザー、外部変調器内蔵（MI-DFB)型レーザーの発明やそれを可能にする革新的結晶成長技術、量産技術の確立で世界をリード、1985年運用開始の日本縦貫光ファイバー通信幹線網、1989年の太平洋横断光ケーブル施設をかわきりに、高速・長距離・大容量光ファイバー通信のキーデバイスとして、世界の情報通信の発展に貢献した。

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■日本半導体歴史館　対象展示室（BH LD）

■日本半導体歴史館　対象展示室（DFB LD）

■発明と発見のデジタル博物館　「動的単一モードレーザと集積レーザ 〜超高速・長距離光ファイバ通信の基礎研究〜」

■発明と発見のデジタル博物館　「長距離大容量光通信用光半導体デバイスの開発」

■発明と発見のデジタル博物館　「光通信用量子井戸構造半導体レーザの開発」