日本半導体イノベーション50選  (D-10 1980年代)

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大容量フラッシュメモリの開発と量産化

電気的に一括消去可能なフラッシュメモリは、当時東芝に在籍した舛岡により1984年と1988年にともにIEDMで最初に発表された。84年にはNOR型、88年にはNAND型が発表されたが、特に後者のNAND型では集積度が飛躍的に増大し、デジタルカメラ、デジタルオーディオ、携帯電話等の新しい携帯型マルティメディア機器の発展の波に乗り、大きな市場を形成した。今後はさらにSSD等の大容量記憶メディアとしての発展も期待され、半導体の一大市場を形成し、リーディングポジションを確立した意味は大きい。

43nmの製造プロセスを用い、1チップで世界最大の64ギガビットを実現した
4ビット/セル(16値)のNAND型フラッシュメモリチップ画像
東芝 セミコンダクター&ストレージ社HPより

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日本半導体歴史館 対象展示室

歴史館 志村資料室「日本発技術のフラッシュメモリー」

ウィキペディア 「フラッシュメモリ」

ウィキペディア「NAND型フラッシュメモリ」