1965年頃
MOSトランジスタの誕生

〜パッケージング〜



日立製作所は1965年頃、MOS型トランジスタにおいてシリコン基板の結晶軸<100>の面にチャンネル層を形成することで、動作が安定することを見出し、キャン型パッケージに組立し市場投入された。MOSFETの形成を<100>結晶上に形成する構造は、その後MOS系IC/LSIの主体的な氏離婚基板材料になった。


【参考文献】
日立評論1965年8月 第47巻第8号 第49巻第3号
 大野稔、鈴木茂、桃井敏光、大橋伸一、久保征治「MOSトランジスタの開発」
詳細はこちら↓
http://www.hitachihyoron.com/jp/pdf/1965/08/1965_08_11.pdf


【移動ページ】
 .


【最終変更バージョン】
2015/6/5