1974年 UHF帯AlゲートパワーMOSFET 開発（富士通） 〜個別半導体・他〜

MOSFETはバイポーラトランジスタと異なり、多数キャリヤデバイスであるから、電流−温度係数は負になり電流集中が起こり難いという、高出力トランジスタには極めて有利な性質をもっている。リリソグラフィー技術などの製作技術が進歩して、MOSFETのゲート長の短縮（いわゆる短チャネル化）が進むにしたがって、MOSFET の動作周波数も高くなり、数10MHzで出力30WのMOSFETがPhilipsで開発され、UHF帯あるいはマイクロ波帯で動作するMOSFET開発機運が高くなっていた。 富士通の森田らは、図に示すような断面構造のAlゲートMOSFETを開発し、周波数700MHzで出力16.4W,　周波数1GHzで出力4.4Wを得た。 ゲート長は５μｍ、ゲート酸化膜厚120nmである。ドレイン領域にｎ−ドリフト領域を設けて耐圧55vを確保している。ｐonｐ+エピ基板を使用し、ｐ+パイプ拡散層でソース領域と基板裏面を接続し、ソース接地抵抗を低減するなどの工夫がなされている。 このトランジスタの出現により、UHF 帯、マイクロ波帯増幅にMOSFETが適していることが示され、その後の発展の基礎となった。

MOS FETの断面構造（一部）とチップ写真

【参考文献】 （１）Y. Morita, H. Takahashi, H. Matayoshi, & M. Fukuta, “Si UHF MOS high power FET”, IEEE Trans. Electron Devices. Vol.ED-21, pp. 733-734, (Nov. 1974)

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【最終変更バージョン】 rev.000 2010/10/26