BTL（Bell Telephone Laboratories）のジョン・バーディーン（John Bardeen、1908年〜1991年）とウォルタ・ブラッテン（Walter Houser Brattain、1902〜1987年）は、1947年12月に、高純度Ge（ゲルマニウム）単結晶の表面に2本の針状の金線を近づけて立て、片方に電流を流すと、もう片方に大きな電流が流れ、信号が100倍に増幅されるという現象を発見した。J.R. Pierceによって、このデバイスは“Transistor” （トランジスタ）と命名された。

最初に発明されたこのトランジスタは、点接触トランジスタ（Point-Contact Transistor）と呼ばれた（図１）。同研究所のウィリアム・ショックレイ（William Bradford Shockley、1910〜1989年）はこのトランシスタの動作は小数キャリアの注入・拡散（Minority carrier injection & diffusion）によると解明、これを発展させて接合型トランジスタ（Junction Transistor）を発明した（図2）。点接触型トランジスタの発明から5週間後の1948年1月のことであった。この接合型トランジスタは点接触型に比べて、安定した動作が可能で、量産も容易な構造である。なおその後、1949年4月にサンドイッチ構造のトランジスタを発明した。バイポーラトランジスタである（一般公開は1951年7月）。Shockley, Bardeen, Brattainは1956年ノーベル物理学賞を受賞した。

Shockley, Bardeen, BrattainらのグループがGe単結晶を使った点接触型トランジスタの動作を確認したのは1947年12月であった。BTLがこの発明を公開したのは1948年6月で、同時にBTLの製造部門であるWestern Electric社はトランジスタの量産計画を発表した。BTLの発表の翌日、『The New York Times』紙は、7月1日付でその内容を伝えている（志村資料室参照、http://www.shmj.or.jp/shimura/ssis_shimura1_04.htm）。
日本では、同年7月中旬にGHQ（General Headquarters, the Supreme Commander for the Allied Powers）の民間通信部（CCS：Civil Communication Section）研究部長、F.Polkinghornから関係者に伝えられたといわれている。CCSは「品質管理」なども日本に教えている。
日本でトランジスタが業界にひろく知れ渡ったのは、『日本電氣通信工業連合會報』の昭和23年11月1日付けの紙面。「真空管に代わる一大革命」として、この「トランジスタ」を詳しく紹介している（図3）。なお、この紙面では「Transistor」をそのまま「トランシスター」と呼んでいる。

【参考文献】
(1)　1947 Invention of the point-contact transistor
http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1947-invention.html
(2) 1948 Conception of the junction transistor
http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1948-conception.html
(3) The Nobel Prize in Physics 1956, William B. Shockley, John Bardeen, Walter H. Brattain
http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/
(4)The birth of modern electronics
The Point-Contact Transistor
http://smithsonianchips.si.edu/augarten/p2.htm
(5)　Solid-state electronics goes commercial
Junction Transistor
http://smithsonianchips.si.edu/augarten/i4.htm