日本半導体イノベーション５０選　　（Ｄ-７　１９７０年代）

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NECは1974年に低雑音GaAs MESFET（NE244）を、富士通は1976年に高出力GaAsMESFET(FLXシリーズ)を世界に先駆けて商品化した。1979年に、AlGaAs-GaAsヘテロ接合界面をもちいるFET (HEMT=High Electron Mobility Transistor) を富士通が発明した。これらは、高周波動作に優れ、衛星放送、移動無線など、マイクロ波・ミリ波通信分野の重要デバイスとして、世界中の通信システムに使用され、 世界の情報通信の発展を先導すると同時に、GaAsを中心として化合物半導体産業の発展に貢献した。

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■日本半導体歴史館　対象ページ（1）
低雑音GaAs MESFET　市販（NEC）

■日本半導体歴史館　対象ページ（2）
HEMT（高移動度トランジスタ）の発明（富士通）

■日本半導体歴史館　対象ページ（3）
高出力GaAs　MESFET　市販開始（富士通）

■日本半導体歴史館　対象ページ（4）
衛星TV受信向低雑音HEMT発売（富士通・ソニー）

■歴史館　志村資料室「HEMT発想の巧妙」

■半導体産業人協会　ENCORE誌2010年5月号
「 HEMTの開発」（PDF)

写真出典1
“Submicron single-gate and dual-gate GaAs MESFETs with improved low noise and high gain performance”IEEE Trans. MTT, vol.MTT-24, pp. 300-305 (1976)

写真出典2
“GaAs Microwave Power FET”　IEEE Trans. ED, vol. ED-23, pp. 388-394 (1976)